[实用新型]一种直流充电过流保护电路

权利要求书

1.一种直流充电过流保护电路，其特征在于，包括第一直流电源（1）、全桥式LLC谐振变换电路（2）、第二直流电源（3）和过压驱动保护电路（4），所述第一直流电源（1）通过所述全桥式LLC谐振变换电路（2）与所述第二直流电源（3）电连接，所述过压驱动保护电路（4）的两个电压输入端分别与所述第一直流电源（1）的正极和所述第二直流电源（3）的正极电连接，所述过压驱动保护电路（4）的两个驱动端分别与所述全桥式LLC谐振变换电路（2）的两个控制端电连接。

2.根据权利要求1所述的直流充电过流保护电路，其特征在于，所述过压驱动保护电路（4）包括数字信号处理芯片（41）和双路隔离驱动芯片（42），所述数字信号，所述数字信号处理芯片（41）包括三个通用IO引脚和两个PWM信号输出引脚，所述双路隔离驱动芯片（42）包括禁用输入引脚、两个非转换逻辑输入引脚和两个数字信号输出引脚，从两个所述通用IO引脚引出所述过压驱动保护电路（4）的两个电压输入端，另一个所述通用IO引脚与所述禁用输入引脚电连接，两个所述PWM信号输出引脚分别与两个所述非转换逻辑输入引脚电连接，从两个所述数字信号输出引脚引出所述过压驱动保护电路（4）的两个驱动端。

3.根据权利要求1或2所述的直流充电过流保护电路，其特征在于，所述全桥式LLC谐振变换电路（2）包括单相全桥逆变电路（21）和单相桥式整流电路（22），所述单相全桥逆变电路（21）的输入端电连接在所述第一直流电源（1）上，所述单相全桥逆变电路（21）的输出端电连接在所述单相桥式整流电路（22）的输入端上，所述单相全桥逆变电路（21）的两个控制端分别电连接在所述过压驱动保护电路（4）的两个驱动端上，所述单相桥式整流电路（22）的输出端电连接在所述第二直流电源（3）上。

4.根据权利要求3所述的直流充电过流保护电路，其特征在于，所述单相全桥逆变电路（21）包括第一P沟道MOS管Q1、第二P沟道MOS管Q2、第三P沟道MOS管Q3、第四P沟道MOS管Q4、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第一电感L1和第一电容C1，所述第一P沟道MOS管Q1的源极与所述第二P沟道MOS管Q2的源极电连接，所述第一P沟道MOS管Q1的漏极与所述第三P沟道MOS管Q3的源极电连接，所述第四P沟道MOS管Q4的源极与所述第二P沟道MOS管Q2的漏极电连接，所述第四P沟道MOS管Q4的漏极与所述第三P沟道MOS管Q3的漏极电连接，从所述第三P沟道MOS管Q3的栅极和所述第二P沟道MOS管Q2的栅极引出所述单相全桥逆变电路（21）的一个控制端，从所述第四P沟道MOS管Q4的栅极和所述第一P沟道MOS管Q1的栅极引出所述单相全桥逆变电路（21）的另一个控制端，所述第一二极管D1并联在所述第一P沟道MOS管Q1的源极和漏极上，所述第二二极管D2并联在所述第二P沟道MOS管Q2的源极和漏极上，所述第三二极管D3并联在所述第三P沟道MOS管Q3的源极和漏极上，所述第四二极管D4并联在所述第四P沟道MOS管Q4的源极和漏极上，所述第一电感L1的一端电连接在所述第一P沟道MOS管Q1的漏极与所述第三P沟道MOS管Q3的源极之间的公共端上，所述第一电感L1的另一端电连接在所述第一电容C1的一端上，从所述第一电容C1的另一端和所述第四P沟道MOS管Q4的源极引出单相全桥逆变电路（21）的输出端。

5.根据权利要求4所述的直流充电过流保护电路，其特征在于，所述单相桥式整流电路（22）包括变压器T、第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第八二极管D8、第二电容C2和第二电感L2，从所述变压器T的初级线圈的两端引出所述单相桥式整流电路（22）的输入端，所述第五二极管D5的正极与所述第六二极管D6的正极电连接，所述第五二极管D5的正极与所述第六二极管D6的正极之间的公共端电连接在所述第二电容C2的一端上，所述第五二极管D5负极与所述第七二极管D7的正极电连接，所述第五二极管D5负极与所述第七二极管D7的正极之间的公共端电连接在所述变压器T的次级线圈的一端上，所述第八二极管D8的正极与所述第六二极管D6的负极电连接，所述第八二极管D8的正极与所述第六二极管D6的负极之间的公共端电连接在所述变压器T的次级线圈的另一端上，所述第八二极管D8的负极与所述第七二极管D7的负极电连接，所述第八二极管D8的负极与所述第七二极管D7的负极电连接在所述第二电容C2的另一端上，所述第二电感L2的一端电连接在所述第五二极管D5的正极与所述第六二极管D6的正极之间的公共端上，从所述第二电感L2的另一端和所述第八二极管D8的负极引出所述单相桥式整流电路（22）的输出端。