[实用新型]一种直流充电过流保护电路

说明书

本实用新型涉及充电保护电路技术领域，提供一种直流充电过流保护电路，包括第一直流电源、全桥式LLC谐振变换电路、第二直流电源和过压驱动保护电路，第一直流电源通过全桥式LLC谐振变换电路与第二直流电源电连接，过压驱动保护电路的两个电压输入端分别与第一直流电源的正极和第二直流电源的正极电连接，过压驱动保护电路的两个驱动端分别与全桥式LLC谐振变换电路的两个控制端电连接，在第一直流电源通过全桥式LLC谐振变换电路对第二直流电源进行直流充电过程中，通过过压驱动保护电路使全桥式LLC谐振变换电路简单、可靠地过流保护第二直流电源，既降低了第二直流电源的电流冲击，也简化了直流充电过流保护电路，节省了电路成本。

技术领域

本实用新型涉及充电保护电路技术领域，尤其涉及一种直流充电过流保护电路。

背景技术

现有直流充电过流保护电路包括第一直流电源、DC/DC变压电路和第二直流电源，第一直流电源能够通过DC/DC变压电路对第二直流电源进行直流充电，第二电源直流电源容易受到过流冲击，使直流充电过流保护电路的可靠性和安全性欠佳。

实用新型内容

针对在现有直流电源在被直流充电过程中容易受到过流冲击，使电路的可靠性和安全性欠佳，本实用新型提供一种直流充电过流保护电路，包括第一直流电源、全桥式LLC谐振变换电路、第二直流电源和过压驱动保护电路，所述第一直流电源通过所述全桥式LLC谐振变换电路与所述第二直流电源电连接，所述过压驱动保护电路的两个电压输入端分别与所述第一直流电源的正极和所述第二直流电源的正极电连接，所述过压驱动保护电路的两个驱动端分别与所述全桥式LLC谐振变换电路的两个控制端电连接。

进一步，所述过压驱动保护电路包括数字信号处理芯片和双路隔离驱动芯片，所述数字信号，所述数字信号处理芯片包括三个通用IO引脚和两个PWM信号输出引脚，所述双路隔离驱动芯片包括禁用输入引脚、两个非转换逻辑输入引脚和两个数字信号输出引脚，从两个所述通用IO引脚引出所述过压驱动保护电路的两个电压输入端，另一个所述通用IO引脚与所述禁用输入引脚电连接，两个所述PWM信号输出引脚分别与两个所述非转换逻辑输入引脚电连接，从两个所述数字信号输出引脚引出所述过压驱动保护电路的两个驱动端。

进一步，所述全桥式LLC谐振变换电路包括单相全桥逆变电路和单相桥式整流电路，所述单相全桥逆变电路的输入端电连接在所述第一直流电源上，所述单相全桥逆变电路的输出端电连接在所述单相桥式整流电路的输入端上，所述单相全桥逆变电路的两个控制端分别电连接在所述过压驱动保护电路的两个驱动端上，所述单相桥式整流电路的输出端电连接在所述第二直流电源上。

进一步，所述单相全桥逆变电路包括第一P沟道MOS管Q1、第二P沟道MOS管Q2、第三P沟道MOS管Q3、第四P沟道MOS管Q4、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第一电感L1和第一电容C1，所述第一P沟道MOS管Q1的源极与所述第二P沟道MOS管Q2的源极电连接，所述第一P沟道MOS管Q1的漏极与所述第三P沟道MOS管Q3的源极电连接，所述第四P沟道MOS管Q4的源极与所述第二P沟道MOS管Q2的漏极电连接，所述第四P沟道MOS管Q4的漏极与所述第三P沟道MOS管Q3的漏极电连接，从所述第三P沟道MOS管Q3的栅极和所述第二P沟道MOS管Q2的栅极引出所述单相全桥逆变电路的一个控制端，从所述第四P沟道MOS管Q4的栅极和所述第一P沟道MOS管Q1的栅极引出所述单相全桥逆变电路的另一个控制端，所述第一二极管D1并联在所述第一P沟道MOS管Q1的源极和漏极上，所述第二二极管D2并联在所述第二P沟道MOS管Q2的源极和漏极上，所述第三二极管D3并联在所述第三P沟道MOS管Q3的源极和漏极上，所述第四二极管D4并联在所述第四P沟道MOS管Q4的源极和漏极上，所述第一电感L1的一端电连接在所述第一P沟道MOS管Q1的漏极与所述第三P沟道MOS管Q3的源极之间的公共端上，所述第一电感L1的另一端电连接在所述第一电容C1的一端上，从所述第一电容C1的另一端和所述第四P沟道MOS管Q4的源极引出单相全桥逆变电路的输出端。