[实用新型]一种硅光电倍增管型耐辐照探头有效
申请号: | 201922451200.X | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN212060591U | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 冯东山;花锋;李鹏;刘进辉;任敏 | 申请(专利权)人: | 西安中核核仪器有限公司 |
主分类号: | G01T1/20 | 分类号: | G01T1/20;G01T1/203;G01T1/208;G21F3/00 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710061 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电倍增管 辐照 探头 | ||
1.一种硅光电倍增管型耐辐照探头,其特征在于:包括外壳(8)以及依次设置在所述外壳(8)内的闪烁体(1)、光导(2)和屏蔽体(6),屏蔽体(6)内设置有用于放置硅光电倍增管(4)和信号处理板(5)的安装腔,屏蔽体(6)上开设有折线式通道,所述光导(2)包括伸入至所述安装腔内与硅光电倍增管(4)连接的折线式光导段和设置在屏蔽体(6)外的直线式光导段,所述折线式光导段与所述折线式通道配合,所述折线式通道中弯折处角度均为90°,所述直线式光导段通过支撑体(3)支撑,信号处理板(5)上集成有控制器和与所述控制器连接且对硅光电倍增管(4)输出端信号进行放大的信号放大电路;
所述信号放大电路包括型号为LM2904DR的运算放大器U1和型号为MAX921的电压比较器U2,所述运算放大器U1的反相输入端与硅光电倍增管D1的阳极连接,所述运算放大器U1的同相输入端接地,硅光电倍增管D1的阴极依次通过电阻R2和电阻R1与偏压电源连接,硅光电倍增管D1的阴极与电阻R2的连接端经电容C2接地,电阻R1与电阻R2的连接端经电容C1接地,所述运算放大器U1的输出端分两路,一路经并联的电阻R3和电容C3与所述运算放大器U1的反相输入端连接,另一路依次经过电容C8和电阻R6与所述电压比较器U2的第3引脚连接,所述电压比较器U2的第4引脚经电阻R8接地,所述电压比较器U2的第5引脚和所述电压比较器U2的第6引脚均通过电阻R7与所述电压比较器U2的第4引脚连接,所述电压比较器U2的第1引脚和所述电压比较器U2的第2引脚均接地,所述电压比较器U2的第7引脚分两路,一路经电阻R9与5V电源连接,另一路经并联的电容C9和电容C10接地,所述电压比较器U2的第8引脚与电阻R10的一端连接,电阻R10的另一端与所述控制器连接。
2.按照权利要求1所述的一种硅光电倍增管型耐辐照探头,其特征在于:所述支撑体(3)为塑料。
3.按照权利要求1所述的一种硅光电倍增管型耐辐照探头,其特征在于:所述屏蔽体(6)为铅屏蔽体。
4.按照权利要求1所述的一种硅光电倍增管型耐辐照探头,其特征在于:航空插头(7)穿过外壳(8)和屏蔽体(6)与所述控制器连接。
5.按照权利要求1所述的一种硅光电倍增管型耐辐照探头,其特征在于:所述控制器为单片机、ARM微控制器或DSP微控制器。
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