[实用新型]一种硅光电倍增管型耐辐照探头

说明书

本实用新型公开了一种硅光电倍增管型耐辐照探头，包括外壳以及依次设置在外壳内的闪烁体、光导和屏蔽体，屏蔽体内设置有用于放置硅光电倍增管和信号处理板的安装腔，屏蔽体上开设有折线式通道，光导包括伸入至安装腔内与硅光电倍增管连接的折线式光导段和设置在屏蔽体外的直线式光导段，折线式光导段与折线式通道配合，折线式通道中弯折处角度均为90°，直线式光导段通过支撑体支撑，信号处理板上集成有控制器和对硅光电倍增管输出端信号进行放大的信号放大电路。本实用新型通过为光导设计折线式通道，避免射线直接传播至硅光电倍增管，损坏硅光电倍增管，且将信号处理板设置在屏蔽体，抗损伤和抗干扰性强，延长耐辐照探头的使用寿命。

技术领域

本实用新型属于辐照探头技术领域，具体涉及一种硅光电倍增管型耐辐照探头。

背景技术

自然界的阳光会对材料造成破坏，每年造成难以估计的经济损失，而放射性元素对材料造成破坏更是严重，需要设计耐辐照探测器对放射性元素的放射性射线的精确测定，现有的耐辐照探测器一般为电离室或者盖革计数管。电离室耐辐照能力强，但信号弱，工艺复杂、生产制造难度高；盖格计数管需要特殊设计，且寿命较为有限，只能与射线发生有限次数的作用，其内部气体即被消耗，需要定期对盖格计数管进行更换或维护，造成人工成本大，且存在一定的安全隐患。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种硅光电倍增管型耐辐照探头，其设计新颖合理，结构简单，通过为光导设计折线式通道，避免射线直接传播至硅光电倍增管，损坏硅光电倍增管，且将信号处理板设置在屏蔽体，抗损伤和抗干扰性强，延长耐辐照探头的使用寿命，便于推广使用。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种硅光电倍增管型耐辐照探头，其特征在于：包括外壳以及依次设置在所述外壳内的闪烁体、光导和屏蔽体，屏蔽体内设置有用于放置硅光电倍增管和信号处理板的安装腔，屏蔽体上开设有折线式通道，所述光导包括伸入至所述安装腔内与硅光电倍增管连接的折线式光导段和设置在屏蔽体外的直线式光导段，所述折线式光导段与所述折线式通道配合，所述折线式通道中弯折处角度均为90°，所述直线式光导段通过支撑体支撑，信号处理板上集成有控制器和与所述控制器连接且对硅光电倍增管输出端信号进行放大的信号放大电路；

所述信号放大电路包括型号为LM2904DR的运算放大器U1和型号为MAX921的电压比较器U2，所述运算放大器U1的反相输入端与硅光电倍增管D1的阳极连接，所述运算放大器U1的同相输入端接地，硅光电倍增管D1的阴极依次通过电阻R2和电阻R1与偏压电源连接，硅光电倍增管D1的阴极与电阻R2的连接端经电容C2接地，电阻R1与电阻R2的连接端经电容C1接地，所述运算放大器U1的输出端分两路，一路经并联的电阻R3和电容C3与所述运算放大器U1的反相输入端连接，另一路依次经过电容C8和电阻R6与所述电压比较器U2的第3引脚连接，所述电压比较器U2的第4引脚经电阻R8接地，所述电压比较器U2的第5引脚和所述电压比较器U2的第6引脚均通过电阻R7与所述电压比较器U2的第4引脚连接，所述电压比较器U2的第1引脚和所述电压比较器U2的第2引脚均接地，所述电压比较器U2的第7引脚分两路，一路经电阻R9与5V电源连接，另一路经并联的电容C9和电容C10接地，所述电压比较器U2的第8引脚与电阻R10的一端连接，电阻R10的另一端与所述控制器连接。

上述的一种硅光电倍增管型耐辐照探头，其特征在于：所述支撑体为塑料。

上述的一种硅光电倍增管型耐辐照探头，其特征在于：所述屏蔽体为铅屏蔽体。

上述的一种硅光电倍增管型耐辐照探头，其特征在于：所述航空插头穿过外壳和屏蔽体与所述控制器连接。

上述的一种硅光电倍增管型耐辐照探头，其特征在于：所述控制器为单片机、ARM微控制器或DSP微控制器。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点：