[实用新型]高双面率P型单晶硅双面电池结构

权利要求书

1.一种高双面率P型单晶硅双面电池结构，包括P型硅衬底(1)，其特征在于，所述的P型硅衬底(1)正面设有电极(2)，P型硅衬底(1)背面设有铝栅线(3)，P型硅衬底(1)正面有里往外依次设有正面介质钝化层(4)和正面氮化硅层(5)，P型硅衬底(1)背面有里往外依次设有背面介质钝化层(6)和背面氮化硅层(7)。

2.根据权利要求1所述的高双面率P型单晶硅双面电池结构，其特征在于，所述的P型硅衬底(1)正面且位于正面介质钝化层(4)下方还设有发射极层(8)，电极(2)连接发射极层(8)。

3.根据权利要求2所述的高双面率P型单晶硅双面电池结构，其特征在于，正面介质钝化层(4)包括位于发射极层(8)上的正面二氧化硅薄膜层，以及位于正面二氧化硅薄膜层上的正面氧化铝薄膜层，背面介质钝化层(6)包括位于P型硅衬底(1)背面上的背面二氧化硅薄膜层，以及位于背面二氧化硅薄膜层上的背面氧化铝薄膜层。

4.根据权利要求3所述的高双面率P型单晶硅双面电池结构，其特征在于，所述的正面二氧化硅薄膜层和背面二氧化硅薄膜层的厚度分别为1-3nm，所述的正面氧化铝薄膜层和背面氧化铝薄膜层的厚度分别为2-15nm。

5.根据权利要求1所述的高双面率P型单晶硅双面电池结构，其特征在于，所述的正面氮化硅层(5)厚度为75-85nm，背面氮化硅层(7)的厚度为100-120nm。

6.根据权利要求1所述的高双面率P型单晶硅双面电池结构，其特征在于，所述的背面氮化硅层(7)为开膜氮化硅层。

7.根据权利要求1所述的高双面率P型单晶硅双面电池结构，其特征在于，所述的铝栅线(3)有若干条且相互平行设置。