[实用新型]高双面率P型单晶硅双面电池结构

说明书

本实用新型提供了一种高双面率P型单晶硅双面电池结构，属于太阳能电池技术领域。包括P型硅衬底，所述的P型硅衬底正面设有电极，P型硅衬底背面设有铝栅线，P型硅衬底正面有里往外依次设有正面介质钝化层和正面氮化硅层，P型硅衬底背面有里往外依次设有背面介质钝化层和背面氮化硅层。本实用新大幅度降低背面反射率，解决了绒面结构钝化效果较差的问题，有效提高P型单晶双面电池的双面率，适用于产业化应用。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池技术领域，涉及一种高双面率P型单晶硅双面电池结构。

背景技术

近几年来，双面电池技术逐渐成为了P型单晶硅电池的主流技术。然而，由于背表面介质膜(氧化铝、氮化硅等)在平面上的钝化性能远优于其在绒面上的钝化效果，截止目前，工业化生产的P型单晶硅双面电池背表面都采用平面结构，这也导致了电池背表面反射率较高，电池的双面率较低(背面效率/正面效率)。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对上述问题，提供一种高双面率P型单晶硅双面电池结构。

为达到上述目的，本实用新型采用了下列技术方案：

一种高双面率P型单晶硅双面电池结构，包括P型硅衬底，所述的P型硅衬底正面设有电极，P型硅衬底背面设有铝栅线，P型硅衬底正面有里往外依次设有正面介质钝化层和正面氮化硅层，P型硅衬底背面有里往外依次设有背面介质钝化层和背面氮化硅层。

进一步的，所述的P型硅衬底正面且位于正面介质钝化层下方还设有发射极层，电极连接发射极层。

进一步的，正面介质钝化层包括位于发射极层上的正面二氧化硅薄膜层，以及位于正面二氧化硅薄膜层上的正面氧化铝薄膜层，背面介质钝化层包括位于P型硅衬底背面上的背面二氧化硅薄膜层，以及位于背面二氧化硅薄膜层上的背面氧化铝薄膜层。

进一步的，所述的正面二氧化硅薄膜层和背面二氧化硅薄膜层的厚度分别为1-3nm，所述的正面氧化铝薄膜层和背面氧化铝薄膜层的厚度分别为2-15nm。

进一步的，所述的正面氮化硅层厚度为75-85nm，背面氮化硅层的厚度为100-120nm。

进一步的，所述的背面氮化硅层为开膜氮化硅层。

进一步的，所述的铝栅线有若干条且相互平行设置。

与现有的技术相比，本实用新型的优点在于：

大幅度降低背面反射率，解决了绒面结构钝化效果较差的问题，有效提高P型单晶双面电池的双面率，适用于产业化应用。

本实用新型的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本实用新型的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中：P型硅衬底1、电极2、铝栅线3、正面介质钝化层4、正面氮化硅层5、背面介质钝化层6、背面氮化硅层7、发射极层8。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进行进一步说明。

如图1所示，一种高双面率P型单晶硅双面电池结构，包括P型硅衬底1，所述的P型硅衬底1正面设有电极2，P型硅衬底1背面设有铝栅线3，铝栅线3有若干条且相互平行设置，P型硅衬底1正面有里往外依次设有正面介质钝化层4和正面氮化硅层5，P型硅衬底1背面有里往外依次设有背面介质钝化层6和背面氮化硅层7。优选，背面氮化硅层7为开膜氮化硅层。

本实用新型，大幅度降低背面反射率，解决了绒面结构钝化效果较差的问题，有效提高P型单晶双面电池的双面率，适用于产业化应用。具体数据见下表。