[实用新型]一种用于高压输入的偏置电路

权利要求书

1.一种用于高压输入的偏置电路，其特征在于，包括内部供电轨、第一电流镜、低阈值管、电流源、关断模块、第二电流镜、逻辑控制器、数据选择器、运放EA、功率管和电阻器，内部供电轨与第一电流镜的第一接口端连接，第一电流镜的第二接口端与低阈值管的一端连接，低阈值管的另一端与电流源的一端和关断模块连接，电流源的另一端与逻辑控制器的一端连接，逻辑控制器的另一端连接使能信号EN，第一电流镜的第三接口端与第二电流镜的输入端连接，第二电流镜的输出端输出电流Io，第一电流镜的第四接口端与数据选择器的第一输入端连接，数据选择器的第二输入端连接有电压Vref，数据选择器的第三输入端连接有OK信号，数据选择器的输出端与运放EA的反向端连接，运放EA的正向端与电阻器的一个接口端连接，运放EA的输出端与功率管的第一接口端连接，功率管的第二接口端连接外部电源VIN，功率管的第三接口端与电阻器的另一个接口端连接，并作为电压输出端输出电压VOUT。

2.根据权利要求1所述的用于高压输入的偏置电路，其特征在于，内部供电轨包括第一电阻R1、第一稳压二极管D1和源级跟随器，第一电阻R1的一端连接外部电源VIN，第一电阻R1的另一端与第一稳压二极管D1的负极和源级跟随器的一端连接，第一稳压二极管D1的正极接地，源级跟随器的另一端作为内部供电轨输出端，并与第一电流镜连接。

3.根据权利要求2所述的用于高压输入的偏置电路，其特征在于，源级跟随器包括电容C1、电阻R2和第零NMOS管NM0，电阻R2的一端与电阻R1的一端连接，并连接外部电源VIN，电阻R2的另一端与第零NMOS管NM0的漏极连接，第零NMOS管NM0的栅极与电阻R1、第一稳压二极管D1的负极和电容C1的一端连接，电容C1的另一端与第一稳压二极管D1的正极连接并接地，第零NMOS管NM0的源极与第一电流镜连接。

4.根据权利要求1所述的用于高压输入的偏置电路，其特征在于，第一电流镜包括第零PMOS管PM0、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2和第三PMOS管PM3，第零PMOS管PM0的源极与源级跟随器、第一PMOS管PM1的源极、第二PMOS管PM2的源极、第三PMOS管PM3的源极和逻辑控制器的供电电源端相连接，第零PMOS管PM0的栅极与第一PMOS管PM1的栅极、第二PMOS管PM2的栅极、第三PMOS管PM3的栅极、第零PMOS管PM0的漏极和低阈值管连接，第一PMOS管PM1的漏极与第二电流镜连接，第二PMOS管PM2的漏极和第三PMOS管PM3的漏极分别与数据选择器连接。

5.根据权利要求1所述的用于高压输入的偏置电路，其特征在于，低阈值管包括第五NMOS管NM5，第五NMOS管NM5的漏极与第一电流镜连接，第五NMOS管NM5的源极与电流源和关断模块连接，第五NMOS管NM5的栅极接地。

6.根据权利要求1所述的用于高压输入的偏置电路，其特征在于，电流源包括电阻R4和第四NMOS管NM4，电阻R4的一端与低阈值管和关断模块的电阻R3连接，电阻R4的另一端与第四NMOS管NM4的漏极连接，第四NMOS管NM4的栅极与逻辑控制器连接，第四NMOS管NM4的源极接地；

关断模块包括电阻R3、第三NMOS管NM3、第二NMOS管NM2和第一NMOS管NM1，电阻R3的一端与低阈值管和电阻R4的一端连接，电阻R3的另一端与第三NMOS管NM3的漏极和栅极连接，第三NMOS管NM3的源极与第二NMOS管NM2的漏极和栅极连接，第二NMOS管NM2的源极与第一NMOS管NM1的漏极和栅极连接，第一NMOS管NM1的源极接地。

7.根据权利要求1所述的用于高压输入的偏置电路，其特征在于，逻辑控制器包括第一反相器1和第二反相器2，第一反相器1的供电电源端和第二反相器2的供电电源端均与源极跟随器的输出端连接，第一反相器1的输入端连接使能信号EN，第一反相器1输出端与第二反相器2的输入端连接，第二反相器2的输出端输出信号ENA并与电流源连接。