[实用新型]一种用于高压输入的偏置电路有效

专利信息
申请号: 201922454001.4 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN211180688U 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 居西子;李盛鹏 申请(专利权)人: 武汉韦尔半导体有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 乐综胜
地址: 430074 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 高压 输入 偏置 电路
【说明书】:

本实用新型公开了一种用于高压输入的偏置电路,包括内部供电轨、第一电流镜、低阈值管、电流源、关断模块、第二电流镜、逻辑控制器、数据选择器、运放EA、功率管和电阻器,第一电流镜分别与内部供电轨、低阈值管的一端、第二电流镜的输入端和数据选择器的第一输入端连接,低阈值管的另一端与电流源的一端和关断模块连接,电流源的另一端与逻辑控制器的一端连接,数据选择器的输出端与运放EA的反向端连接,运放EA的正向端与电阻器的一个端连接,运放EA的输出端与功率管的第一端连接,功率管的第三端与电阻器的另一个端连接。降低了偏置电路关断时功耗,提高了正常工作时可靠性,降低了存在启动异常风险,有效降低了芯片的面积,节约了芯片成本。

技术领域

本实用新型涉及电源管理技术领域,具体涉及一种用于高压输入的偏置电路。

背景技术

偏置电路是集成电路设计中的核心模块之一。通常的高压输入LDO的偏置电路需要启动电路并且难以与使能信号配合去降低关断状态下的功耗。启动电路的存在增加了偏置电路的复杂度,静态功耗和启动异常的风险,降低了电流偏置电路的可靠性。并且高压输入LDO由于高压的原因,缺乏直接对使能信号做逻辑处理的能力增加了关断时的偏置电路的静态功耗。同时高压输入LDO通常需利用多个高压管来得到所需要的低压偏置,增加了芯片的面积,提高了成本。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是,针对现有技术存在的上述缺陷,提供了一种用于高压输入的偏置电路,降低了偏置电路关断时功耗,提高了正常工作时可靠性,降低了存在启动异常风险,有效降低了芯片的面积,节约了芯片成本。

本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案是:

一种用于高压输入的偏置电路,包括内部供电轨、第一电流镜、低阈值管、电流源、关断模块、第二电流镜、逻辑控制器、数据选择器、运放EA、功率管和电阻器,内部供电轨与第一电流镜的第一接口端连接,第一电流镜的第二接口端与低阈值管的一端连接,低阈值管的另一端与电流源的一端和关断模块连接,电流源的另一端与逻辑控制器的一端连接,逻辑控制器的另一端连接使能信号EN,第一电流镜的第三接口端与第二电流镜的输入端连接,第二电流镜的输出端输出电流Io,第一电流镜的第四接口端与数据选择器的第一输入端连接,数据选择器的第二输入端连接有电压Vref,数据选择器的第三输入端连接有OK信号,数据选择器的输出端与运放EA的反向端连接,运放EA的正向端与电阻器的一个接口端连接,运放EA的输出端与功率管的第一接口端连接,功率管的第二接口端连接外部电源VIN,功率管的第三接口端与电阻器的另一个接口端连接,并作为电压输出端输出电压VOUT。

按照上述技术方案,内部供电轨包括第一电阻R1、第一稳压二极管D1和源级跟随器,第一电阻R1的一端连接外部电源VIN,第一电阻R1的另一端与第一稳压二极管D1的负极和源级跟随器的一端连接,第一稳压二极管D1的正极接地,源级跟随器的另一端作为内部供电轨输出端,并与第一电流镜连接。

按照上述技术方案,源级跟随器包括电容C1、电阻R2和第零NMOS管NM0,电阻R2的一端与电阻R1的一端连接,并连接外部电源VIN,电阻R2的另一端与第零NMOS管NM0的漏极连接,第零NMOS管NM0的栅极与电阻R1、第一稳压二极管D1的负极和电容C1的一端连接,电容C1的另一端与第一稳压二极管D1的正极连接并接地,第零NMOS管NM0的源极与第一电流镜连接。

按照上述技术方案,第一电流镜包括第零PMOS管PM0、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2和第三PMOS管PM3,第零PMOS管PM0的源极与源级跟随器、第一PMOS管PM1的源极、第二PMOS管PM2的源极、第三PMOS管PM3的源极和逻辑控制器的供电电源端相连接,第零 PMOS管PM0的栅极与第一PMOS管PM1的栅极、第二PMOS管PM2的栅极、第三PMOS管PM3 的栅极、第零PMOS管PM0的漏极和低阈值管连接,第一PMOS管PM1的漏极与第二电流镜连接,第二PMOS管PM2的漏极和第三PMOS管PM3的漏极分别与数据选择器连接。

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