[实用新型]照明式开关电源用快恢复二极管

权利要求书

1.一种照明式开关电源用快恢复二极管，其特征在于，硅晶片上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有两个高掺杂P型硅基环，高掺杂P型硅基区、高掺杂N型硅发射区和两个高掺杂P型硅基环间等距离间隔。

2.根据权利要求1所述的照明式开关电源用快恢复二极管，其特征在于，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、两个高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有石墨烯层。

3.根据权利要求1所述的照明式开关电源用快恢复二极管，其特征在于，所述两个有源区平行均匀排布。

4.根据权利要求1所述的照明式开关电源用快恢复二极管，其特征在于，所述硅晶片厚度为250±15μm，两个高掺杂P型硅基区深度为60μm，所述高掺杂N型硅发射区深度为15μm。

5.根据权利要求1所述的照明式开关电源用快恢复二极管，其特征在于，所述低掺杂的N型硅衬底电阻率为30Ω·cm。

6.根据权利要求1所述的照明式开关电源用快恢复二极管，其特征在于，低掺杂N型硅衬底上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极；所述两个有源区共阴极。

7.根据权利要求6所述的照明式开关电源用快恢复二极管，其特征在于，电极外设有保护膜。

8.根据权利要求6所述的照明式开关电源用快恢复二极管，其特征在于，所述金属Al的厚度为4μm，所述金属Ag的厚度为0.78μm。