[实用新型]照明式开关电源用快恢复二极管

说明书

本实用新型涉及照明式开关电源用快恢复二极管，硅晶片上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有两个高掺杂P型硅基环，高掺杂P型硅基区、高掺杂N型硅发射区和两个高掺杂P型硅基环间等距离间隔，本实用新型的二极管结构反向恢复时间短，开关特性好，适用于照明用开关电源。

技术领域

本实用新型涉及半导体功率器件，特别涉及照明式开关电源用快恢复二极管。

背景技术

开关电源用的快恢复二极管要求开关特性好、反向恢复时间短，尤其对于照明式开关电源，需选用工作频率较高且反向恢复时间较短的快恢复二极管。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种照明式开关电源用快恢复二极管。

为实现上述技术目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种照明式开关电源用快恢复二极管，硅晶片上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有两个高掺杂P型硅基环，高掺杂P型硅基区、高掺杂N型硅发射区和两个高掺杂P型硅基环间等距离间隔。

作为本实用新型的进一步改进，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、两个高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有石墨烯层。

作为本实用新型的进一步改进，所述两个有源区平行均匀排布。

作为本实用新型的进一步改进，所述二极管硅晶片厚度为250±15μm，两个高掺杂P型硅基区深度为60μm，所述高掺杂N型硅发射区深度为15μm。

作为本实用新型的进一步改进，所述低掺杂的N型硅衬底电阻率为30Ω·cm。

作为本实用新型的进一步改进，低掺杂N型硅衬底上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极；所述两个有源区共阴极。

进一步的，电极外设有保护膜。

进一步的，所述阳极金属Al的厚度为4μm，所述阴极金属Ag的厚度为0.78μm。

本实用新型在小尺寸的硅晶片上设置两个有源区，两个有源区共用阴极，每个有源区各自形成一个PN结及三个等距离间隔的环形结构，结合高传导能力石墨烯层，形成的二极管结构反向恢复时间短，开关特性好，适用于照明用开关电源。

附图说明

图1为本实用新型实施例1的硅晶片结构示意图。

图2为本实用新型实施例1的环形结构示意图。

具体实施方式

如图1、图2所示的一种照明式开关电源用快恢复二极管，硅晶片上设有两个相同大小、平行均匀排布的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底1上设有高掺杂P型硅基区2，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底1呈圆角长方体状，所述N型硅衬底1上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区31，高掺杂P型硅基区2和外环高掺杂N型硅发射区31中间有两个高掺杂P型硅基环32、33，高掺杂P型硅基区2、高掺杂N型硅发射区31和两个高掺杂P型硅基环32、33间等距离间隔。N型硅衬底1、高掺杂P型硅基区2、两个高掺杂P型硅基环32、33和高掺杂N型硅发射区31上有石墨烯层4。