[实用新型]蚀刻箱进出料结构

说明书

本实用新型公开了一种蚀刻箱进出料结构，包括蚀刻箱，所述蚀刻箱内设置有电路板和蚀刻液，所述蚀刻箱的侧壁上设置有进液口、进气口、出液口和出气口，所述进液口与出液口设置于所述蚀刻箱的相对两侧，所述进气口设置于所述进液口的上方，所述出气口设置于所述出液口的上方。本实用新型在完成蚀刻工序进出料的同时，利用进出液和进出气自然形成的液体流动冲刷电路板，确保了蚀刻的均匀，相较于现有技术，无需晃动蚀刻箱体，结构更加简洁且能耗更低。

技术领域

本实用新型涉及蚀刻技术，尤其涉及一种蚀刻箱进出料结构。

背景技术

蚀刻是线路板生产过程中的一种重要工艺，按使用化学药剂的性质分为酸性蚀刻和碱性蚀刻。碱性蚀刻过程中，包括以下反应：

(1)在氯化铜溶液中加入氨水，发生络合反应：

CuCl₂+4NH₃→Cu(NH₃)4Cl_2，

(2)在蚀刻过程中，基板上面的铜被〔Cu(NH₃)₄〕²⁺络离子氧化，其蚀刻反应：

Cu(NH₃)₄Cl₂+Cu→2Cu(NH₃)₂Cl，

(3)蚀刻中所生成的〔Cu(NH₃)₂〕¹⁺不具有蚀刻能力，在过量的氨水和氯离子存在的情况下，能很快地被空气中的氧所氧化，生成具有蚀刻能力的〔Cu(NH₃)₄〕²⁺络离子，其再生反应如下：

2Cu(NH₃)₂Cl+2NH₄Cl+2NH₃+1/2O₂→2Cu(NH₃)₄Cl+H₂O，

所以在蚀刻时，需要不断补加氨水和氯化铵，也称子液。在添加子液的同时不断排出过剩的槽液，可维持药水铜离子浓度以确保蚀刻速率。

在蚀刻过程中，需要让蚀刻液在电路板表面均匀流动，以保持蚀刻充分和均匀，现有蚀刻设备通常是通过晃动蚀刻箱来实现的，例如专利CN201821444721.1，其公开的蚀刻设备通过飞轮带动蚀刻箱来回往复运动，以使蚀刻液晃动冲刷电路板，但这种方式容易导致蚀刻液溅出，且由于蚀刻箱本身重量较大，飞轮的功率要求也较高，导致能耗较高。此外，晃动过程中，电路板是固定不动的，蚀刻箱箱体容易和电路板发生碰撞，导致电路板损坏。

因此，如何提出一种能够使得蚀刻液均匀冲刷电路板，同时不需要晃动箱体的蚀刻装置，就成为本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种能够使蚀刻液均匀地冲刷电路板的蚀刻箱进出料结构。

以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。

根据本实用新型的一方面，提供了一种蚀刻箱进出料结构，包括蚀刻箱，所述蚀刻箱内设置有电路板和蚀刻液，所述蚀刻箱的侧壁上设置有进液口、进气口、出液口和出气口，所述进液口与出液口设置于所述蚀刻箱的相对两侧，所述进气口设置于所述进液口的上方，所述出气口设置于所述出液口的上方。

在一实施例中，该进出料结构的所述进液口设置有多个，每个所述进液口均设置有进液管。