[实用新型]开关电源用整流二极管有效
| 申请号： | 201922467605.2 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN211507643U | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 徐蓓;尹妍 |
| 地址： | 210034 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开关电源 整流二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种开关电源用整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅层和外环高掺杂N型硅环中间有一个高掺杂P型硅基环；其特征在于，所述高掺杂P型硅基环和高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环横向距离相等，所述低掺杂的N型硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积石墨烯层。
2.根据权利要求1所述的一种开关电源用整流二极管，其特征在于，所述环形结构曲率为350μm，外环高掺杂N型硅环宽度45μm，内环硅基环宽度18μm。
3.根据权利要求1所述的一种开关电源用整流二极管，其特征在于，所述高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环、石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；衬底的背面沉积金属Ag作为阴极。
4.根据权利要求3所述的一种开关电源用整流二极管，其特征在于，所述阴极、阳极外设有2μm的PI保护膜。
5.根据权利要求3所述的一种开关电源用整流二极管，其特征在于，所述金属Al的厚度为4μm，所述金属Ag的厚度为0.8μm。
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