[实用新型]一种刻蚀槽有效
申请号: | 201922482367.2 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN211208411U | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 王建树;黄调调;董焕苗 | 申请(专利权)人: | 浙江鸿禧能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/687;H01L31/18 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 翁斌 |
地址: | 314000 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 | ||
本实用新型公开了一种刻蚀槽,包括有槽体和硅片输送机构,硅片输送机构由若干个依次间隔连接的送料单元构成,每个送料单元包括有两个支撑板和位于两个支撑板之间的若干辊筒,支撑板包括有底座部分和挡板部分,辊筒的两端分别安装有活动块,挡板部分设有安装槽,活动块通过调节杆调节在安装槽内的高度,辊筒的一端穿过轴承后连接有齿轮,所有齿轮通过与齿轮配合的链条联动,链条由驱动机构驱动转动。本实用新型的刻蚀槽,可以实现硅片的平稳输送,在线实施监测硅片运行过程,发现刻蚀槽变形导致的辊筒水平异常后可以及时在线调整辊筒状态,从而避免液面波动异常影响硅片刻蚀效果。
技术领域
本实用新型属于刻蚀设备技术领域,具体涉及一种刻蚀槽。
背景技术
单晶PERC SE电池相比于传统太阳能电池具有以下优点:1、降低了扩散层复合速率,提高了光线的短波响应;2、减少了前金属电极与硅的接触电阻,提高了短路电流、开路电压和填充因子;3、降低了背表面复合速率,提升了开路电压;4、增强了背表面长波光反射效应,提升短路电流。单晶PERC SE电池包括有制绒-扩散-激光SE-刻蚀-PECVD/ARC-丝网印刷-烧结-测试分选等,刻蚀工序的作用是去掉硅片背面和硅片侧面的PN结,达到正面与背面绝缘的目的。刻蚀工序所采用的设备一般是链式刻蚀机。现有的链式刻蚀机刻蚀槽存在液面波动大、刻蚀槽容易变形等缺点。与传统电池相比,单晶PERC SE电池对工艺要求更为严格。因此,现有的链式刻蚀机难以满足单晶PERC SE电池的刻蚀工艺要求,需要对刻蚀槽进行改进,才能提高单晶PERC SE电池的良品率。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种刻蚀槽,包括有槽体和安装在槽体内的硅片输送机构,所述硅片输送机构由若干个依次间隔连接的送料单元构成,每个送料单元包括有两个支撑板和位于两个支撑板之间的若干辊筒,支撑板包括有固定在槽体上的底座部分和与底座部分一体连接的挡板部分,所述辊筒的两端分别通过轴承可转动的安装有活动块,挡板部分设有供活动块上下移动的安装槽,活动块通过调节杆调节在安装槽内的高度,所述辊筒的一端穿过轴承后连接有齿轮,所有齿轮通过与齿轮配合的链条联动,链条由驱动机构驱动转动。
作为上述技术方案的优选,所述活动块的两侧分别固定有导向条,安装槽的两侧分别设有供导向条上下移动的导向槽。
作为上述技术方案的优选,所述活动块的上端设有连接柱,连接柱内具有空腔,空腔设有可在空腔内水平转动的圆板,连接柱的上端具有连通空腔的通孔,调节杆的下端可活动的插入通孔后固定连接圆板,通孔的直径小于圆板的直径,安装槽的上端设有固定粱,固定粱的两端分别固定在挡板部分上,固定粱的中部设有螺纹孔,调节杆上具有与螺纹孔相配合的外螺纹,调节杆的上端具有调节把手。
作为上述技术方案的优选,所述辊筒的中部内陷形成环形槽,环形槽上套有环状透明管,环状透明管内具有环形空腔,环形空腔内具有液体和水准气泡,环状透明管的中部设有由两个刻度圈构成的水准区。
作为上述技术方案的优选,所述环状透明管由耐腐蚀玻璃制成。
作为上述技术方案的优选,所述环形槽两侧的辊筒上设有若干均匀间隔设置的环形开槽。
作为上述技术方案的优选,所述送料单元的一个支撑板上可转动的安装有导向齿轮,导向齿轮与链条相匹配,其中一个导向齿轮连接有第一锥形齿轮,驱动机构包括有电机和由电机驱动转动的齿轮轴,齿轮轴上安装有第二锥形齿轮,第二锥形齿轮与第一锥形齿轮齿合,齿轮轴垂直于辊筒。
作为上述技术方案的优选,所述齿轮、第二锥形齿轮、第一锥形齿轮均有耐腐蚀材料制成,所述链条为耐腐蚀链条。
本实用新型的有益效果是:本实用新型的刻蚀槽,可以实现硅片的平稳输送,在线实施监测硅片运行过程,发现刻蚀槽变形导致的辊筒水平异常后可以及时在线调整辊筒状态,从而避免液面波动异常影响硅片刻蚀效果。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造