[实用新型]一种半导体制冷器驱动电路有效
| 申请号： | 201922486948.3 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN211316640U | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 洪汉润;欧阳文;裴盛涵;毛山山 | 申请（专利权）人： | 武汉戴美激光科技有限公司 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02;F25B49/00;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 詹守琴 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖开发区汤逊*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制冷 驱动 电路 | ||
1.一种半导体制冷器驱动电路，其特征在于，包括：脉宽调制信号发生器、驱动芯片，MOS管，电感、二极管和半导体制冷器；所述驱动芯片输入端与所述脉宽调制信号发生器连接，所述驱动芯片的输出端连接所述MOS管的栅极；所述MOS管的源极与第一输入电源连接；所述MOS管的漏极同时与所述二极管的输入端及所述电感的输入端连接；所述半导体制冷器的第一引脚与所述电感的输出端连接，所述半导体制冷器的第二引脚与所述二极管的输出端连接。
2.根据权利要求1所述的半导体制冷器驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片为的型号为MCP1402或MCP1416。
3.根据权利要求1所述的半导体制冷器驱动电路，其特征在于，还包括：第一电容，所述第一电容的第一端与所述驱动芯片的接地端连接，所述驱动芯片的接地端接地；所述第一电容的第二端与所述驱动芯片的电源端连接，所述驱动芯片的电源端连接第二输入电源。
4.根据权利要求1所述的半导体制冷器驱动电路，其特征在于，还包括：第一电阻和第二电阻；所述第一电阻的第一端连接工作电源，所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接所述驱动芯片的输入端，所述脉宽调制信号发生器连接在所述第一电阻与所述第二电阻之间。
5.根据权利要求4所述的半导体制冷器驱动电路，其特征在于，所述第二电阻的阻值为2.7kΩ。
6.根据权利要求1所述的半导体制冷器驱动电路，其特征在于，还包括：第三电阻，所述第三电阻的第一端与所述MOS管的源极连接，所述第三电阻的第二端与所述MOS管的栅极连接。
7.根据权利要求1所述的半导体制冷器驱动电路，其特征在于，还包括：第二电容、第三电容和第四电容；所述第二电容、所述第三电容以及所述第四电容的第一端均与所述半导体制冷器的第一引脚连接，所述第二电容、所述第三电容以及所述第四电容的第二端均与所述半导体制冷器的第二引脚连接。
8.根据权利要求1所述的半导体制冷器驱动电路，其特征在于，所述MOS管的型号为AOD403。
9.根据权利要求1所述的半导体制冷器驱动电路，其特征在于，所述电感的参数为：15uH，5A。
10.根据权利要求1所述的半导体制冷器驱动电路，其特征在于，所述电感的参数为：10uH，9A。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉戴美激光科技有限公司，未经武汉戴美激光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922486948.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型SMT贴片机用送料器
- 下一篇：一种通讯屏蔽电缆
