[实用新型]一种半导体制冷器驱动电路

说明书

本实用新型实施例提供的一种半导体制冷器驱动电路，包括：脉宽调制信号发生器、驱动芯片，MOS管，电感、二极管和半导体制冷器；所述驱动芯片输入端与所述脉宽调制信号发生器连接，所述驱动芯片的输出端连接所述MOS管的栅极；所述MOS管的源极与第一输入电源连接；所述MOS管的漏极同时与所述二极管的输入端及所述电感的输入端连接；所述半导体制冷器的第一引脚与所述电感的输出端连接，所述半导体制冷器的第二引脚与所述二极管的输出端连接。本实用新型实现了激光器温控系统驱动电路功耗的优化，提高了驱动电路的工作效率；相对于推挽式电路而言，结构更加简单，成本低。

技术领域

本实用新型涉及激光器技术领域，具体而言，涉及一种半导体制冷器驱动电路。

背景技术

半导体激光是一种电致发光器件，具有体积小，寿命长，容易调制、结构简单，采用电流注入的方式驱动、转换效率高等优点，固其在医疗激光领域被广泛应用。但是，半导体激光器在连续工作时会产生大量的热量，会导致激光器温度快速升高，影响激光器输出波长、功率的稳定性，还会降低激光器的使用寿命。

为了避免激光器过热，传统的方案为采用线性方式进行控制半导体致冷器(Thermo Electric Cooler，TEC)，即功率器件在线性区域工作，但效率很低，对功率散热要求高。另外，还有采用开关的方式，即使其工作在开关状态，此方案虽然效率提高，但增加来了复杂的方案器件，提高了成本。如采用高频的PWM(Pulse width modulation，脉冲宽度调制)控制推挽式电路实现，此方案器件多，电路较为复杂成本较高。

综上所述，现有技术中为了避免激光器过热会导致激光器工作效率降低或增加电路成本。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例的目的在于提供一种半导体制冷器驱动电路，实现了激光器温控系统驱动电路功耗的优化，提高了工作效率；相对于推挽式电路而言，结构更加简单，成本低。

本申请通过一实施例提供如下技术方案：

一种半导体制冷器驱动电路，包括：脉宽调制信号发生器、驱动芯片，MOS管，电感、二极管和半导体制冷器；所述驱动芯片输入端与所述脉宽调制信号发生器连接，所述驱动芯片的输出端连接所述MOS管的栅极；所述MOS管的源极与第一输入电源连接；所述MOS管的漏极同时与所述二极管的输入端及所述电感的输入端连接；所述半导体制冷器的第一引脚与所述电感的输出端连接，所述半导体制冷器的第二引脚与所述二极管的输出端连接。

优选地，所述驱动芯片为的型号为MCP1402或MCP1416。

优选地，还包括：第一电容，所述第一电容的第一端与所述驱动芯片的接地端连接，所述驱动芯片的接地端接地；所述第一电容的第二端与所述驱动芯片的电源端连接，所述驱动芯片的电源端连接第二输入电源。

优选地，还包括：第一电阻和第二电阻；所述第一电阻的第一端连接工作电源，所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接所述驱动芯片的输入端，所述脉宽调制信号发生器连接在所述第一电阻与所述第二电阻之间。

优选地，所述第二电阻的阻值为2.7kΩ。

优选地，还包括：第三电阻，所述第三电阻的第一端与所述MOS管的源极连接，所述第三电阻的第二端与所述MOS管的栅极连接。

优选地，还包括：第二电容、第三电容和第四电容；所述第二电容、所述第三电容以及所述第四电容的第一端均与所述半导体制冷器的第一引脚连接，所述第二电容、所述第三电容以及所述第四电容的第二端均与所述半导体制冷器的第二引脚连接。

优选地，所述MOS管的型号为AOD403。

优选地，所述电感的参数为：15uH，5A。

优选地，所述电感的参数为：10uH，9A。