[实用新型]光发射组件、半导体光电子器件和设备

权利要求书

1.一种光发射组件，其特征在于，包括：半导体芯片、第一偏置电路、第一电容、滤波电路和第一电感；其中，所述第一偏置电路用于隔绝交流信号；

所述第一电容的第一端连接射频正电极，所述第一电容的第二端连接射频负电极，所述半导体芯片的第一极连接直流负电极；

所述半导体芯片的第二极连接所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端连接所述第一偏置电路的第一端，所述第一偏置电路的第二端连接直流正电极；

所述滤波电路的第一端连接所述第一电容的第二端，所述滤波电路的第二端连接所述半导体芯片的第一极；或者，所述滤波电路的第一端连接所述第一电容的第一端，所述滤波电路的第二端连接所述第一电感的第二端。

2.根据权利要求1所述的光发射组件，其特征在于，还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路用于隔绝交流信号；

所述半导体芯片的第一极连接直流负电极，包括：所述第二偏置电路的第一端连接所述直流负电极，所述第二偏置电路的第二端连接所述半导体芯片的第一极；

或者，所述第一电容的第二端连接所述直流负电极，包括：所述第二偏置电路的第一端连接所述直流负电极，所述第二偏置电路的第二端连接所述第一电容的第二端。

3.根据权利要求1或2所述的光发射组件，其特征在于，所述滤波电路包括电阻、第二电容和第二电感；

其中，所述第二电容与所述第二电感串联；串联的所述第二电容和所述第二电感，与所述电阻并联。

4.根据权利要求1或2所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件与载体连接，所述第一电容包括第一导体和第二导体，所述第一导体和所述第二导体相对设置，所述第一导体和所述第二导体之间的距离值为预设阈值；

所述第一导体为焊接于所述载体上的焊盘，所述第二导体为所述载体的接地层。

5.根据权利要求3所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件与载体连接，所述第一电容包括第一导体和第二导体，所述第一导体和所述第二导体相对设置，所述第一导体和所述第二导体之间的距离值为预设阈值；

所述第一导体为焊接于所述载体上的焊盘，所述第二导体为所述载体的接地层。

6.根据权利要求2所述的光发射组件，其特征在于，

所述第一偏置电路包括

磁珠；

或

磁珠和电感元件。

7.根据权利要求2所述的光发射组件，其特征在于，

所述第二偏置电路包括

磁珠；

或

磁珠和电感元件。

8.根据权利要求1-2、5任一项所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括激光二极管；

所述半导体芯片的第二极与所述激光二极管的阳极连接，所述半导体芯片的第一极与所述激光二极管的阴极连接。

9.根据权利要求3所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括激光二极管；

所述半导体芯片的第二极与所述激光二极管的阳极连接，所述半导体芯片的第一极与所述激光二极管的阴极连接。

10.根据权利要求4所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括激光二极管；

所述半导体芯片的第二极与所述激光二极管的阳极连接，所述半导体芯片的第一极与所述激光二极管的阴极连接。

11.根据权利要求3所述的光发射组件，其特征在于，所述电阻为薄膜电阻或贴片电阻，所述第二电容为贴片电容。

12.根据权利要求4所述的光发射组件，其特征在于，所述载体为热沉或陶瓷。

13.根据权利要求5所述的光发射组件，其特征在于，所述载体为热沉或陶瓷。