[实用新型]光发射组件、半导体光电子器件和设备

说明书

本申请实施例提供一种光发射组件、半导体光电子器件和设备，涉及微电子器件技术领域，以解决半导体光电子器件中传输线的阻抗与半导体芯片的阻抗不连续的问题。该光发射组件包括：半导体芯片、第一偏置电路、第一电容、滤波电路和第一电感。第一电容的第一端连接射频正电极，第一电容的第二端连接射频负电极，半导体芯片的第一极连接直流负电极；半导体芯片的第二极连接第一电感的第一端，第一电感的第二端连接第一偏置电路的第一端，第一偏置电路的第二端连接直流正电极；滤波电路的第一端连接第一电容的第二端，滤波电路的第二端连接半导体芯片的第一极；或者，滤波电路的第一端连接第一电容的第一端，滤波电路的第二端连接第一电感的第二端。

技术领域

本申请实施例涉及微电子器件技术领域，尤其涉及一种光发射组件、半导体光电子器件和设备。

背景技术

半导体光电子器件是指通过电耦合、机械固定和密封等措施，将半导体芯片封装为具有稳定的功能、性能的器件。该半导体光电子器件可以用于控制激光二极管。

一般而言，半导体芯片的内阻约为10欧姆(ohm，Ω)，而与半导体芯片直接连接的驱动源的传输线单端的阻抗为25Ω或50Ω。也就是说，传输线的阻抗与半导体芯片内阻不同，即传输线的阻抗与半导体芯片的阻抗不连续。传输线阻抗与半导体芯片的阻抗不连续会产生强烈的反射信号，由于半导体芯片的内阻低于传输线的阻抗，使得反射信号与入射信号相位相反。相位相反的反射信号与入射信号叠加后，会导致输入半导体光电子器件的信号幅度减小。

并且，在半导体光电子器件封装过程中，载体、金线和匹配网络等器件的设置会引入各种寄生参数，从而导致高频带宽损失严重，使得半导体光电子器件在高速率应用场景的使用严重受限。

为了解决上述阻抗不连续的问题，在一种方案中，可以在传输线和半导体芯片之间串联电阻。但是，在传输线和芯片之间串联电阻，会增大半导体光电子器件的负载，从而增大半导体光电子器件的功耗。但是，该方案并不能解决上述高频带宽损失严重的问题。

为了降低半导体光电子器件的负载，在另一种方案中，可以在传输线和半导体芯片之间设置滤波电路，形成低通滤波网络。但是，该方案仍不能解决上述高频带宽损失严重的问题。

实用新型内容

本申请提供一种光发射组件、半导体光电子器件和设备，以解决半导体光电子器件中传输线的阻抗与半导体芯片的阻抗不连续的问题。

为实现上述技术目的，本申请采用如下技术方案：

第一方面，本申请提供了一种光发射组件，包括半导体芯片、第一偏置电路、第一电容、滤波电路和第一电感。其中，第一偏置电路用于隔绝交流信号。

在第一种情况下，射频正电极连接第一电容的第一端，第一电容的第二端连接射频负电极。半导体芯片的第一极连接直流负电极。半导体芯片的第二极连接第一电感的第一端，第一电感的第二端连接第一偏置电路的第一端，第一偏置电路的第二端连接直流正电极。滤波电路的第一端连接第一电容的第一端，滤波电路的第二端连接第一电感的第二端。

在第二种情况下，射频正电极连接第一电容的第一端，第一电容的第二端连接射频负电极。半导体芯片的第一极连接直流负电极。半导体芯片的第二极连接第一电感的第一端，第一电感的第二端连接第一偏置电路的第一端，第一偏置电路的第二端连接直流正电极。滤波电路的一端连接第一电容的第二端，滤波电路的第二端连接半导体芯片的第一极。

一方面，在上述任一种情况下，直流正电极通过第一偏置电路和第一电感连接半导体芯片的第二极；半导体芯片的第一极连接直流负电极。因此，直流正电极可以通过第一偏置电路和第一电感为半导体芯片提供直流驱动信号，与直流负电极形成直流驱动回路。也就是说，直流驱动信号不需要经过射频正电极和射频负电极(即射频传输线)。射频正电极和射频负电极之间串联滤波电路、第一电感和半导体芯片，射频正电极可以为半导体芯片提供射频驱动信号，与射频负电极形成射频驱动回路。也就是说，射频驱动信号不需要经过直流正电极和直流负电极。