[发明专利]具有静电放电保护的光掩模

说明书

本发明提供了一种光掩模，所述光掩模包括衬底、所述衬底上的电路图案、所述衬底上的静电放电(ESD)环以及所述衬底上的ESD线。所述ESD结构围绕所述电路图案。所述ESD线在所述衬底的边缘和所述ESD结构之间延伸，其中，所述ESD线包括延伸超出所述ESD结构的边缘的末端的边缘部分，并且所述ESD线的边缘部分包括至少一个梳状结构。

技术领域

本发明涉及光掩模，更具体而言，涉及具有静电放电(ESD)保护的光掩模。

背景技术

半导体制造当中的光刻工艺包括对光致抗蚀剂图案化的过程。在这一过程当中，光致抗蚀剂设置在晶圆上，并且通过光罩或者光掩模对所述光致抗蚀剂进行曝光。光掩模包括具有根据集成电路的设计布局形成的主要特征的设计图案，因而在曝光之后，能够对光致抗蚀剂进行显影，从而在其内形成与光掩模的设计图案相同的投影图案。出于这一原因，光掩模是用于实现良好的图案转移的关键因素之一。

参考图1，其示出了现有技术光掩模的顶视图。如图1所示，现有技术光掩模10包括电路图案12以及围绕电路图案12的静电放电(ESD)环14，并且所述电路图案12和ESD环14由导电材料制成。由于ESD环14的原因，可以释放或者排放一些电荷，并且能够保护电路图案12不受某种程度的ESD损伤。

然而，ESD环的保护是不够的。例如，为了避免在执行光刻工艺的同时有颗粒或者灰尘停留在光掩模上，通常由掩模持有者或者操作者拾取光掩模，以便进行颗粒检查。由于光掩模可能被拾取若干次，因而通过掩模持有者的频繁接触而在光掩模上累积电荷，并且仍将易于发生ESD效应(例如，ESD电弧放电)，尤其是在ESD环处或者电路图案的接近掩模持有者所接触的光掩模边缘的部分处。相应地，发生ESD的电路图案部分将被改变和扭曲，例如，电路图案的边缘变亮(bright)，电路图案的拐角被剥离，或者电路图案的部分被ESD电弧损坏。因此，使光掩模的图案保持准确是本领域的重要目标。

发明内容

在本发明中描述了具有静电放电保护的光掩模的实施例。

在一些实例中，公开了一种光掩模。所述光掩模包括衬底、所述衬底上的电路图案、所述衬底上的静电放电(ESD)结构以及所述衬底上的ESD线。所述ESD结构围绕所述电路图案。所述ESD线在所述衬底的边缘和所述ESD结构之间延伸，其中，所述ESD线包括延伸超出所述ESD结构的边缘的末端的边缘部分，并且所述ESD线的边缘部分包括至少一个梳状结构。

在一些实施例中，所述梳状结构包括连接部分以及从所述连接部分突出的至少两个针状物(pin)。

在一些实施例中，所述边缘部分包括多个区段以及多个梳状结构，每一梳状结构包括连接部分和至少两个针状物，并且每一区段和每一连接部分交替连接，以形成蛇形形状。所述蛇形形状具有多个凹陷，并且所述梳状结构之一的针状物指向所述凹陷之一。

在一些实施例中，每一凹陷的深度大于每一针状物的长度。

在一些实施例中，所述梳状结构中的相邻两个梳状结构中的针状物朝着相反的方向突出。

在一些实施例中，所述梳状结构中的相邻两个梳状结构中的针状物朝着所述衬底的所述边缘突出。

在一些实施例中，所述ESD线进一步包括主要部分和另一边缘部分，所述主要部分连接在所述边缘部分之间，并且所述另一边缘部分被设置为超出所述ESD结构的所述边缘的另一末端。

在一些实施例中，所述主要部分包括多个区段和多个梳状结构，并且每一区段和每一梳状结构交替连接，以形成蛇形形状。所述蛇形形状具有沿所述ESD线的延伸方向布置的多个凹陷，并且所述主要部分的每一梳状结构包括连接部分以及从所述连接部分朝向所述凹陷之一突出的至少两个针状物。

在一些实施例中，所述光掩模进一步包括设置在所述ESD结构的与所述边缘相对的一侧上的另一ESD线。