[发明专利]电容器结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201980000366.X | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN110622305B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;甘程;吴昕;刘威 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/08;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容器 结构 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于制造电容器结构的方法，包括：
从第一主表面在衬底中形成掺杂区；
在所述衬底的所述掺杂区之上形成绝缘层；
在所述绝缘层中形成多个接触部，所述多个接触部延伸至所述掺杂区中；
从第二主表面去除所述衬底的部分；
通过从所述第二主表面对所述衬底进行蚀刻而在所述衬底的所述掺杂区中形成多个沟槽和导线，其中，所述沟槽穿过所述衬底，从而露出所述绝缘层，所述导线通过所述沟槽相互隔开，并且所述接触部与所述导线直接接触；以及
利用电介质材料填充所述多个沟槽。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
执行表面平坦化工艺，以去除所述衬底的所述第二主表面之上的多余电介质材料。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述衬底的所述部分包括去除所述衬底的未被掺杂的部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述第一主表面在所述衬底中形成所述掺杂区包括将离子束引导到所述衬底的所述第一主表面上，从而在所述衬底中形成所述掺杂区。
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