[发明专利]具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高电压半导体器件，包括：

半导体衬底，具有有源区，并且所述半导体衬底具有第一导电类型；

栅极结构，设置在所述半导体衬底的所述有源区上，并且所述栅极结构沿第一方向延伸，所述第一方向垂直于所述栅极结构到第一掺杂区的第二方向；

至少一个第一隔离结构和至少一个第二隔离结构，设置在所述栅极结构到所述第一掺杂区之间的所述有源区中，并且沿所述第一方向延伸；以及

至少一个第一漂移区，设置在所述栅极结构的一侧的所述半导体衬底的所述有源区中，并且所述至少一个第一漂移区具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型，其中，所述至少一个第一隔离结构的底部和所述至少一个第二隔离结构的底部比所述至少一个第一漂移区的底部深，

其中，所述至少一个第一隔离结构和所述至少一个第二隔离结构在所述第一方向上的组合的长度大于或等于所述至少一个第一漂移区在所述第一方向上的长度。

2.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，还包括至少一个第一掺杂区，所述至少一个第一掺杂区设置在所述至少一个第一漂移区中，并且所述至少一个第一隔离结构和所述至少一个第二隔离结构设置在所述至少一个第一掺杂区和所述栅极结构之间，其中所述至少一个第一掺杂区具有所述第二导电类型。

3.根据权利要求2所述的高电压半导体器件，其中，所述至少一个第一漂移区的掺杂浓度小于所述至少一个第一掺杂区的掺杂浓度，并且所述至少一个第一隔离结构的端部沿所述第二方向设置在所述至少一个第一掺杂区和所述至少一个第二隔离结构之间。

4.根据权利要求2所述的高电压半导体器件，其中穿过所述至少一个第一掺杂区的端部并与所述第二方向平行的延长线与所述至少一个第一隔离结构相交，并且穿过所述至少一个第一掺杂区的与所述至少一个第一掺杂区的所述端部相对的另一端部并且与所述第二方向平行的另一个延长线与所述至少一个第二隔离结构相交。

5.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，还包括设置在所述半导体衬底中的第三隔离结构，其中，所述第三隔离结构具有用于限定所述有源区的开口。

6.根据权利要求5所述的高电压半导体器件，其中，所述至少一个第一隔离结构或所述至少一个第二隔离结构中的至少一个连接到所述第三隔离结构。

7.根据权利要求1所述的高电压半导体器件，其中，所述至少一个第一漂移区在顶视图中围绕所述至少一个第一隔离结构或所述至少一个第二隔离结构中的至少一个。

8.根据权利要求2所述的高电压半导体器件，还包括至少一个第二掺杂区，所述至少一个第二掺杂区设置在所述栅极结构的另一侧的所述半导体衬底的所述有源区中，并且所述至少一个第二掺杂区具有所述第二导电类型。

9.根据权利要求8所述的高电压半导体器件，还包括至少一个第二漂移区，所述至少一个第二漂移区设置在所述栅极结构的所述另一侧的所述半导体衬底的所述有源区中，并且所述至少一个第二掺杂区设置在所述至少一个第二漂移区中，其中，所述第二漂移区具有所述第二导电类型，并且所述至少一个第二漂移区的掺杂浓度小于所述至少一个第二掺杂区的掺杂浓度。

10.根据权利要求9所述的高电压半导体器件，还包括至少一个附加隔离结构，所述至少一个附加隔离结构设置在所述至少一个第二掺杂区和所述栅极结构之间的所述半导体衬底的所述有源区中。

11.根据权利要求10所述的高电压半导体器件，其中，所述附加隔离结构包括至少一个第四隔离结构和至少一个第五隔离结构，并且所述至少一个第四隔离结构和所述至少一个第五隔离结构的布局等于所述至少一个第一隔离结构和所述至少一个第二隔离结构的布局，或者相对于所述栅极结构与所述至少一个第一隔离结构和所述至少一个第二隔离结构的布局对称。