[发明专利]用于通过施加多个位线偏置电压在非易失性存储器器件中编程的方法

权利要求书

1.一种用于在非易失性存储器器件中编程的方法，包括：

在每一个先前编程循环期间向所述非易失性存储器器件的非易失性存储器单元施加至少一个编程脉冲；

在当前编程循环期间向所述非易失性存储器单元施加至少一个编程脉冲；以及

将所述先前编程循环中的至少一个先前编程循环中的所述非易失性存储器单元的阈值电压与所述非易失性存储器单元的目标数据状态的低验证电平和/或高验证电平进行比较，得到先前编程循环的比较结果；以及

将所述当前编程循环中的所述非易失性存储器单元的阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较，得到当前编程循环的比较结果，

根据所述先前编程循环的比较结果和所述当前编程循环的比较结果，提供所述非易失性存储器单元的位线偏置电压，

其中，根据将所述先前编程循环中的至少一个先前编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较的所述结果，以及将所述当前编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较的所述结果，提供所述非易失性存储器单元的所述位线偏置电压包括：

如果在所述先前编程循环中的任何先前编程循环中，所述阈值电压高于所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述高验证电平，并且在所述当前编程循环中，所述阈值电压高于所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述高验证电平，则永久地提供系统电压作为所述位线偏置电压。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：当具有高于所述高验证电平的阈值电压的非易失性存储器单元的数量已达到预定数量时，确定编程成功。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：如果在执行所述当前编程循环之后，具有高于所述高验证电平的阈值电压的非易失性存储器单元的数量低于预定数量，则在所述当前编程循环之后的下一编程循环期间向所述非易失性存储器单元施加至少一个编程脉冲。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：在执行第一编程循环之后，根据将所述第一编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较的所述结果，提供第二编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述位线偏置电压。

5.如权利要求4所述的方法，其中，在执行所述第一编程循环之后，根据将所述第一编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较的所述结果，提供所述第二编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述位线偏置电压包括：

如果在执行所述第一编程循环之后，所述阈值电压高于所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述高验证电平，则提供系统电压作为所述第二编程循环中的所述位线偏置电压。

6.如权利要求4所述的方法，其中，在执行所述第一编程循环之后，根据将所述第一编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较的所述结果，提供所述第二编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述位线偏置电压包括：

如果所述阈值电压在所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和所述高验证电平之间，则提供第一中间电压作为所述第二编程循环中的所述位线偏置电压。

7.如权利要求4所述的方法，其中，在执行所述第一编程循环之后，根据将所述第一编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较的所述结果，提供所述第二编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述位线偏置电压包括：

如果所述阈值电压低于所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平，则提供低电压作为所述第二编程循环中的所述位线偏置电压。