[发明专利]柔性电子基板的制作方法及基板结构有效
申请号: | 201980000696.9 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN110383460B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 赵策 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 电子 制作方法 板结 | ||
1.一种柔性电子基板的制作方法,包括:
提供第一基板,所述第一基板包括相对的第一表面和第二表面;
在所述第一基板的第一表面上形成分离层,所述分离层为膜层状并包括锡和锡合金中的一种或多种;
在所述分离层上提供第二基板,所述第二基板为柔性基板;
对所述分离层进行降温处理使得所述分离层的至少部分从膜层状开裂,从而使所述第二基板与所述第一基板分离。
2.如权利要求1所述的制作方法,其中,所述分离层的至少部分从膜层状开裂包括:
所述分离层的至少部分从膜层状变为粉末状。
3.如权利要求1所述的制作方法,其中,所述降温处理包括:将所述分离层降温至13.2℃以下。
4.如权利要求3所述的制作方法,其中,所述处理包括:使用形核剂与所述分离层接触使得所述分离层开裂。
5.如权利要求4所述的制作方法,其中,所述形核剂包括灰锡、碲化镉、锑化铟中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的制作方法,其中,所述锡合金中的合金元素除锡之外包括铝、铜、镁、锰、锌、铋、铅、锑、银、金、锗中的一种或多种。
7.如权利要求6所述的制作方法,其中,所述分离层中的锡元素质量百分比不低于30%。
8.如权利要求1所述的制作方法,其中,所述分离层从膜层状开裂包括:
所述锡从白锡转变为灰锡。
9.如权利要求1所述的制作方法,其中,所述分离层包括凹槽或镂空结构。
10.如权利要求9所述的制作方法,其中,所述凹槽或镂空结构的面积百分比例为10%-50%。
11.如权利要求9所述的制作方法,其中,所述凹槽或镂空结构的平面结构包括圆形、菱形、矩形、三角形或不规则多边形。
12.如权利要求1-11任一所述的制作方法,其中,所述第二基板包括相对的第三表面和第四表面,所述第三表面更靠近所述第一基板,
所述制作方法还包括:在对所述分离层进行处理之前,在所述第二基板的第四表面上制备第一工作电路。
13.如权利要求12所述的制作方法,还包括:在对所述分离层进行处理之前,在所述第一基板的第二表面制备第二工作电路。
14.一种基板结构,包括第一基板、第二基板以及分离层,
其中,所述第二基板为柔性基板,所述分离层位于所述第一基板与第二基板之间且连接所述第一基板和所述第二基板,所述分离层包括锡和锡合金中的一种或多种;
所述分离层的至少部分配置为能经降温处理从膜层状开裂以使得所述第一基板和所述第二基板分离。
15.如权利要求14所述的基板结构,其中,所述锡合金中的合金元素除锡之外包括铝、铜、镁、锰、锌、铋、铅、锑、银、金、锗中的一种或多种。
16.如权利要求14-15任一所述的基板结构,其中,所述分离层包括凹槽或镂空结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造