[发明专利]用于形成具有背面字线的三维存储器件的方法

权利要求书

1.一种用于形成三维(3D)存储器件的方法，包括：

在衬底的至少一个边缘上形成凹口；

形成半导体层，所述半导体层在所述衬底上方并且横向延伸超出所述衬底的至少一个边缘以覆盖所述凹口；

沿着所述半导体层的正面和所述至少一个边缘并沿着所述凹口的顶表面、侧表面和底表面形成多个交错的导电层和介电质层；以及

去除所述衬底的一部分以暴露所述半导体层下方的所述交错的导电层和介电质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述凹口包括将两个凹口分别形成在所述衬底的两个边缘上。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述凹口的深度大于所述导电层和所述介电质层的组合厚度的两倍。

4.根据权利要求1-2中的任一项所述的方法，其中，形成所述半导体层包括：

利用凹口牺牲层来填充所述凹口；

在所述衬底和所述凹口牺牲层上方沉积所述半导体层；以及

去除所述凹口中的所述凹口牺牲层。

5.根据权利要求1-2中的任一项所述的方法，其中，所述半导体层的厚度不大于1μm。

6.根据权利要求1-2中的任一项所述的方法，其中，所述半导体层包括多晶硅。

7.根据权利要求1-2中的任一项所述的方法，其中，形成所述多个交错的导电层和介电质层包括使用原子层沉积(ALD)来交替地沉积所述多个导电层和介电质层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述导电层中的每个包括掺杂多晶硅，并且所述介电质层中的每个包括氧化硅。

9.根据权利要求1-2和8中的任一项所述的方法，其中，形成所述多个交错的导电层和介电质层包括：

使用ALD来交替地沉积多个牺牲层和所述介电质层；以及

利用所述导电层来替换所述牺牲层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述牺牲层中的每个包括氮化硅，所述介电质层中的每个包括氧化硅，并且所述导电层中的每个包括金属。

11.根据权利要求1-2、8和10中的任一项所述的方法，其中，去除所述衬底的所述部分包括：

在所述交错的导电层和介电质层上方沉积蚀刻停止层；以及

对所述衬底进行减薄直到被所述蚀刻停止层停止。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述蚀刻停止层包括多晶硅。

13.根据权利要求1-2、8、10和12中的任一项所述的方法，其中，去除所述衬底的所述部分，使得所述凹口和所述侧表面的一部分和所述底表面被去除。

14.一种用于形成三维(3D)存储器件的方法，包括：

在衬底的至少一个边缘上形成凹口；

形成半导体层，所述半导体层在所述衬底上方并且横向延伸超出所述衬底的至少一个边缘以覆盖所述凹口；

沿着所述半导体层的正面和所述至少一个边缘并沿着所述凹口的顶表面、侧表面和底表面交替地沉积多个牺牲层和介电质层；

去除所述衬底的一部分以暴露所述半导体层下方的所述交错的多个牺牲层和介电质层；以及

利用多个导电层来替换所述牺牲层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，使用原子层沉积(ALD)来交替地沉积所述多个牺牲层和介电质层。

16.根据权利要求14或15所述的方法，其中，所述牺牲层中的每个包括氮化硅，所述介电质层中的每个包括氧化硅，并且所述导电层中的每个包括金属。