[发明专利]用于形成具有背面字线的三维存储器件的方法

说明书

本文公开了用于形成具有弯折背面字线的三维(3D)存储器件方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。凹口被形成于衬底的至少一个边缘上。在所述衬底上方并且横向延伸超出所述衬底的至少一个边缘形成半导体层以覆盖所述凹口。沿着所述半导体层的正面和至少一个边缘并沿着所述凹口的顶表面、侧表面和底表面形成多个交错的导电层和介电质层。去除所述衬底的部分以暴露所述半导体层下面的交错的导电层和介电质层。

技术领域

本公开的实施例涉及三维(3D)存储器件及其制造方法。

背景技术

通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储器单元被缩放到更小的尺寸。然而，随着存储器单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高。结果，平面存储器单元的存储密度接近上限。

3D存储器架构可以解决平面存储器单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储器阵列和用于控制进出存储器阵列的信号的外围设备。

发明内容

本文公开了用于形成具有弯折背面字线的3D存储器件方法的实施例。

在一个示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。在衬底的至少一个边缘上形成凹口。在衬底上方并且横向延伸超出衬底的至少一个边缘形成半导体层以覆盖所述凹口。沿着所述半导体层的正面和至少一个边缘并沿着所述凹口的顶表面、侧表面和底表面形成多个交错的导电层和介电质层。去除所述衬底的部分以暴露所述半导体层下面的交错的导电层和介电质层。

在另一个示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。在衬底的至少一个边缘上形成凹口。在所述衬底上方并且横向延伸超出所述衬底的至少一个边缘形成半导体层以覆盖所述凹口。沿着所述半导体层的正面和至少一个边缘并沿着所述凹口的顶表面、侧表面和底表面交替地沉积牺牲层和介电质层。去除所述衬底的部分以暴露所述半导体层下面的所述交错的牺牲层和介电质层。利用多个导电层来替换所述牺牲层。

在又一个示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。凹口被形成于衬底的至少一个边缘上。在所述衬底上方并且横向延伸超出所述衬底的至少一个边缘形成半导体层被以覆盖所述凹口。沿着所述半导体层的正面和至少一个边缘并沿着所述凹口的顶表面、侧表面和底表面交替地沉积导电层和介电质层。去除所述衬底的部分以暴露所述半导体层下面的交错的导电层和介电质层。

附图说明

随附附图，其被在此并入并且形成说明书的一部分，图示了本公开的实施例，并且与说明书一起进一步用于解释本公开的原理并使得相关领域的技术人员能够制作和使用本公开。

图1A图示了根据一些实施例的具有弯折背面字线的示例性3D存储器件的横截面。

图1B图示了根据一些实施例的具有弯折背面字线的另一示例性3D存储器件的横截面。

图2A-2G图示了根据一些实施例的用于形成具有弯折背面字线的示例性3D存储器件的制造工艺。

图3是根据一些实施例的用于形成具有弯折背面字线的示例性3D存储器件的方法的流程图。

将参考以下附图来描述本公开的实施例。

具体实施方式

尽管讨论了特定配置和布置，但应该理解，这仅出于说明性目的而进行。相关领域的技术人员将认识到，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以使用其他配置和布置。对于相关领域的技术人员显而易见的是，本公开还可以在各种其他应用中被采用。