[发明专利]在形成三维存储器器件的阶梯结构中的标记图案

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

堆叠结构，包括在衬底之上沿垂直方向交替布置的多个绝缘层和多个导体层；以及

标记图案，具有在所述衬底之上的不同材料的多个交错层并与所述堆叠结构相邻，其中，所述标记图案包括位于标记区域中的中心标记结构，所述中心标记结构将所述标记区域划分为较远离所述堆叠结构的第一标记子区域和较靠近所述堆叠结构的第二标记子区域，所述第一标记子区域的第一图案密度高于或等于所述第二标记子区域的第二图案密度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一标记子区域包括至少一个第一标记结构，并且所述第二标记子区域包括至少一个第二标记结构；

所述至少一个第一标记结构的数量大于或等于所述至少一个第二标记结构的数量；并且

所述中心标记结构、所述至少一个第一标记结构和所述至少一个第二标记结构中的每个包括第一材料和第二材料的所述多个交错层，所述第一材料不同于所述第二材料。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述第一标记子区域的所述第一图案密度等于所述第二标记子区域的所述第二图案密度；并且

所述至少一个第一标记结构和所述至少一个第二标记结构沿水平方向对称分布在所述中心标记结构的相对侧上。

4.如权利要求2或3所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一标记结构的所述数量等于所述至少一个第二标记结构的所述数量。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述至少一个第一标记结构和所述至少一个第二标记结构具有相同的形状和相同的尺寸；

所述中心标记结构和所述至少一个第一标记结构在所述第一标记子区域中以相同的距离沿水平方向均匀布置；并且

所述中心标记结构和所述至少一个第二标记结构在所述第二标记子区域中以所述相同的距离沿水平方向均匀布置。

6.如权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述第一标记子区域的所述第一图案密度大于所述第二标记子区域的所述第二图案密度；并且

所述至少一个第一标记结构和所述至少一个第二标记结构沿水平方向不对称地分布在所述中心标记结构的相对侧上。

7.如权利要求2或6所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一标记结构的所述数量大于所述至少一个第二标记结构的所述数量。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，

所述至少一个第一标记结构和所述至少一个第二标记结构具有相同的形状和相同的尺寸；并且

沿水平方向，所述至少一个第一标记结构中的两个之间的距离小于所述至少一个第二标记结构中的两个之间的距离。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，沿水平方向，所述中心标记结构和所述至少一个第一标记结构在所述第一标记子区域中以第一距离均匀分布，并且所述中心标记结构和所述至少一个第二标记结构在所述第二标记子区域中以第二距离均匀分布，所述第一距离小于所述第二距离。

10.如权利要求1-3或6中任一项所述的半导体器件，其中，所述堆叠结构包括阶梯结构，所述多个绝缘层中的每个和相应的导体层形成所述阶梯结构的阶梯。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中，所述中心标记结构的高度等于至少一个阶梯的沿所述垂直方向的厚度。

12.一种用于控制光致抗蚀剂修整工艺的修整速率的标记图案，包括多个交错层，所述多个交错层包括在衬底之上沿垂直方向堆叠的不同材料的至少两层；以及

中心标记结构，将所述标记区域划分为较远离器件区域的第一标记子区域和较靠近所述器件区域的第二标记子区域，所述第一标记子区域的第一图案密度高于或等于所述第二标记子区域的第二图案密度。