[发明专利]干膜光阻剥离液组合物

说明书

本发明是形成微电路的PCB的制造用,尤其是可用于多层挠性PCB(Flexible Multi‑layer Printed Circuit Board)制造工程的干膜光阻剥离液组合物相关的发明。

技术领域

本发明是关于干膜光阻剥离液组合物，具体来说，是关于形成微电路的PCB的制造,尤其是提供可用于多层挠性PCB(Flexible Multi-layer Printed Circuit Board)制造工程的干膜光阻剥离液组合物相关的发明。

背景技术

最近，随着电子产品的薄化、轻化、小型化的倾向，对印制电路板(PrintedCircuit Board:PCB)也越来越要求高密度的配线，由微电路体现的PCB从单层到双层或多层在不断发展，尤其是通过可以折叠的薄配线版形成的挠性PCB((Flexible PrintedCircuit Board；FPCB)用于很多电子产品，最近其需求也在不断扩大。

而形成PCB电路图形的方法一般为加成法(Additive process)、减去法(Subtractive process)、半加成法(Semi-additive process,SAP)、改良型半加成法(Modified semi-additive process,MSAP)等，一般使用蚀刻加工来去除不必要部分的减去法，这个方法的优点是电路加工简单，但微加工却有着局限性。因此，在微电路加工上，SAP法更有优势。而且，为FPCB的双层化、多层化及精密化的目标，最近的倾向是利用激光的MSAP法。但是，SAP和MSAP法的缺点是属于抗电镀的干膜的剥离工程难度大。

通常，PCB是在基板上涂覆干膜，曝光显影工程后，进行蚀刻形成电路。之后，从基板上部灰化(ashing)上述干膜或使用剥离液剥离去除上述干膜后，通过剥离剩余干膜残渣的方式制造。

但是，在上述剥离的过程中剥离液必定会接触铜配线，成为引发电化学腐蚀的因子，因此需要尤其注意(参考下列化学反应方程式)。

(1)水溶液状态下的胺与铜的腐蚀反应

RNH₂+H₂O→RNH₃+OH^-

Cu²⁺+2OH^-→Cu(OH)₂(s)

Cu(OH)(s)+4RNH³⁺→[Cu(RNH₂)₄]

(2)有机溶液状态下的胺与铜的腐蚀反应

Cu+4RNH₂→Cu(RNH₂)₄。

为从基板上部剥离干膜或剥离干膜残渣，一直以来提出了多种干膜剥离液。

在韩国注册专利第10-0364885号中，使用在羟胺(Hydroxylamine)类、超纯水、单乙醇胺(Monoethanolamine)、二乙醇胺(Diethanolamine)中选择一种以上，由二甲亚砜(Dimethylsulfoxide)、芳香芳香羟基化合物(Aromatic hydroxyl compound)构成的光阻剂用剥离液组合物及利用这个组合物的光阻剂剥离方法。

而且，在韩国注册专利第10-173090号中，使用由羟胺类、超纯水、酸度系数(Pka)为7,5至13的胺类、水溶性有机溶剂、防蚀剂构成的光阻剂用剥离液组合物及利用这个组合物的光阻剂剥离方法。

如上，一直以来作为去除干膜的剥离液组合物，使用利用氢氧化物及碱金属胺类的组合物，但是随着提高的剥离性，会引发金属图形的腐蚀及因此变色及下部侵蚀等问题。尤其羟胺类是具有毒性及环境问题的组合物，在操作者的安全及环境方面需要改善，需要能够应对这方面的组合物。