[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201980001826.0 申请日: 2019-02-06
公开(公告)号: CN110537235B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 石井伦太郎;国吉太 申请(专利权)人: 株式会社博迈立铖
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;B22F1/00;B22F3/10;B22F3/24;B22F9/04;C22C38/00;H01F1/057
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 日本国东*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 烧结 磁体 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其中,

所述R-T-B系烧结磁体含有:

R:28.5质量%~33.0质量%、其中,R为稀土元素中的至少1种,包含Nd和Pr中的至少1种,

B:0.85质量%~0.91质量%、

Ga:0.2质量%~0.7质量%、

Co:0.1质量%~0.9质量%、

Cu:0.05质量%~0.50质量%、

Al:0.05质量%~0.50质量%、

Fe:61.5质量%以上,

且满足下述式(1),

14[B]/10.8<[T]/55.85   (1)

式中,[B]为以质量%表示的B的含量,[T]为以质量%表示的T的含量,T为Fe和Co,

所述R-T-B系烧结磁体的制造方法包括:

按照成为所述R-T-B系烧结磁体的组成的方式准备各元素的熔解原料,制作合金的工序,其中,在熔解原料中,使用最大厚度为100μm以上且2mm以下并且Co含量为50质量%以上的Co金属的原料Co;

由所述合金制作合金粉末的工序;

将所述合金粉末成形而得到成形体的成形工序;

将所述成形体烧结而得到烧结体的烧结工序;和

对所述烧结体实施热处理的热处理工序,

得到的所述R-T-B系烧结磁体满足HcJ≥1500kA/m和Hk≥1400kA/m。

2.根据权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其中,所述原料Co的所述最大厚度为425μm~2mm。

3.根据权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其中,

所述R中的Dy和Tb为所述R-T-B系烧结磁体整体的0质量%以上且0.5质量%以下。

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