[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效
申请号: | 201980001826.0 | 申请日: | 2019-02-06 |
公开(公告)号: | CN110537235B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 石井伦太郎;国吉太 | 申请(专利权)人: | 株式会社博迈立铖 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;B22F1/00;B22F3/10;B22F3/24;B22F9/04;C22C38/00;H01F1/057 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 日本国东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
1.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其中,
所述R-T-B系烧结磁体含有:
R:28.5质量%~33.0质量%、其中,R为稀土元素中的至少1种,包含Nd和Pr中的至少1种,
B:0.85质量%~0.91质量%、
Ga:0.2质量%~0.7质量%、
Co:0.1质量%~0.9质量%、
Cu:0.05质量%~0.50质量%、
Al:0.05质量%~0.50质量%、
Fe:61.5质量%以上,
且满足下述式(1),
14[B]/10.8<[T]/55.85 (1)
式中,[B]为以质量%表示的B的含量,[T]为以质量%表示的T的含量,T为Fe和Co,
所述R-T-B系烧结磁体的制造方法包括:
按照成为所述R-T-B系烧结磁体的组成的方式准备各元素的熔解原料,制作合金的工序,其中,在熔解原料中,使用最大厚度为100μm以上且2mm以下并且Co含量为50质量%以上的Co金属的原料Co;
由所述合金制作合金粉末的工序;
将所述合金粉末成形而得到成形体的成形工序;
将所述成形体烧结而得到烧结体的烧结工序;和
对所述烧结体实施热处理的热处理工序,
得到的所述R-T-B系烧结磁体满足HcJ≥1500kA/m和Hk≥1400kA/m。
2.根据权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其中,所述原料Co的所述最大厚度为425μm~2mm。
3.根据权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其中,
所述R中的Dy和Tb为所述R-T-B系烧结磁体整体的0质量%以上且0.5质量%以下。
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