[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201980001826.0 申请日: 2019-02-06
公开(公告)号: CN110537235B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 石井伦太郎;国吉太 申请(专利权)人: 株式会社博迈立铖
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;B22F1/00;B22F3/10;B22F3/24;B22F9/04;C22C38/00;H01F1/057
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 日本国东*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 烧结 磁体 制造 方法
【说明书】:

一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法,其是具有规定的组成、满足式(1)的R‑T‑B系烧结磁体的制造方法,包括以下工序:使用最大厚度为2mm以下的原料Co,制作满足上述R‑T‑B系烧结磁体的组成的合金的工序;由上述合金制作合金粉末的工序;将上述合金粉末成形而得到成形体的成形工序;将上述成形体烧结而得到烧结体的烧结工序;对上述烧结体实施热处理的热处理工序。14[B]/10.8<[T]/55.85 (1)([B]为以质量%表示的B的含量,[T]为以质量%表示的T(T为Fe和Co)的含量)。

技术领域

本发明涉及R-T-B系烧结磁体的制造方法。

背景技术

R-T-B系烧结磁体(R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd,T为过渡金属元素中的至少一种且必须包含Fe)作为永磁体中最高性能的磁体而被知晓,在硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、电动汽车用(EV、HV、PHV等)电机、产业设备用电机等各种电机、家电产品等中使用。

R-T-B系烧结磁体主要由包含R2T14B化合物的主相、和位于该主相的晶界部分的晶界相构成。作为主相的R2T14B化合物是具有高磁化的强磁性材料,是R-T-B系烧结磁体的特性的基础。

R-T-B系烧结磁体在高温下矫顽力HcJ(以下,有时仅称为“HcJ”)降低,因此发生不可逆热退磁。因此,特别是在电动汽车用电机中使用的情况下,要求在高温下也具有高HcJ

以往,为了提高HcJ,将Dy、Tb等重稀土元素RH大量添加于R-T-B系烧结磁体中。但是,若大量添加重稀土元素RH,虽然HcJ提高,但存在剩余磁通密度Br(以下,有时仅称为“Br”)降低的问题。因此,近年来,提出了通过使RH从R-T-B系烧结磁体的表面向内部扩散而在主相晶粒的外壳部使RH稠化,从而一面抑制Br的降低、一面得到高的HcJ的方法。

但是,出于Dy原本资源量就少而且产地有限等原因,有供给不稳定、价格变动等的问题。因此,需要尽可能不使用Dy等RH(即,尽可能减少使用量),一面抑制Br的降低,一面得到高HcJ

专利文献1中记载,通过使B量比通常的R-T-B合金低,并且含有选自Al、Ga、Cu中的1种以上的金属元素M,从而生成R2Fe17相,通过充分确保以该R2Fe17相为原料生成的过渡金属富集相(R6T13M)的体积率,可以得到抑制Dy的含量并且矫顽力高的R-T-B系稀土烧结磁体。

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