[发明专利]显示基板、显示装置和制造显示基板的方法有效

专利信息
申请号: 201980002277.9 申请日: 2019-11-04
公开(公告)号: CN110998855B 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 王国英;林奕呈;王玲;宋振;徐攀;张星;韩影;高展 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H10K59/122 分类号: H10K59/122;H10K59/129;H10K59/00;H01L27/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 显示装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种显示基板,包括多个子像素;

其中,所述多个子像素中的相应一个包括:

发光元件;

第一薄膜晶体管,被配置为驱动所述发光元件的发光;以及

发光亮度值检测器;

其中,所述发光亮度值检测器包括:

第二薄膜晶体管;以及

光传感器,其电连接到所述第二薄膜晶体管并且被配置为检测发光亮度值;

其中,所述显示基板还包括位于所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管中的至少一个的远离基底基板的一侧上的硅有机玻璃层;以及

光传感器位于硅有机玻璃层远离基底基板的一侧;

显示基板还包括在所述硅有机玻璃层远离所述基底基板一侧上的导电保护层;

其中,所述光传感器位于所述导电保护层远离所述硅有机玻璃层的一侧;

所述导电保护层在所述基底基板上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的至少沟道部分在所述基底基板上的正投影;以及

所述导电保护层在所述基底基板上的正投影覆盖所述第二薄膜晶体管的至少沟道部分在所述基底基板上的正投影。

2.如权利要求1所述的显示基板,其中,所述导电保护层包括第一导电保护块和第二导电保护块;

所述第一导电保护块在所述基底基板上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的至少沟道部分在所述基底基板上的正投影;以及

所述第二导电保护块在所述基底基板上的正投影覆盖所述第二薄膜晶体管的至少沟道部分在所述基底基板上的正投影。

3.如权利要求2所述的显示基板,其中,所述导电保护层还包括分别与所述第一导电保护块和第二导电保护块同层的第一连接电极和第二连接电极;

所述第一连接电极将所述第一薄膜晶体管的漏极与所述发光元件电连接;以及

所述第二连接电极将所述光传感器与所述第二薄膜晶体管的源极电连接。

4.如权利要求3所述的显示基板,其中,所述第二连接电极在所述基底基板上的正投影覆盖所述光传感器在所述基底基板上的正投影。

5.如权利要求3所述的显示基板,还包括在所述硅有机玻璃层和所述导电保护层之间的第一钝化层;

其中,所述第一连接电极延伸穿过所述第一钝化层和所述硅有机玻璃层以连接到所述第一薄膜晶体管的漏极;以及

所述第二连接电极延伸穿过所述第一钝化层和所述硅有机玻璃层以连接到所述第二薄膜晶体管的源极。

6.如权利要求5所述的显示基板,其中,所述第一导电保护块延伸穿过所述第一钝化层和所述硅有机玻璃层,以连接到所述第一薄膜晶体管的栅极;以及

所述第二导电保护块延伸穿过所述第一钝化层和所述硅有机玻璃层以连接到所述第二薄膜晶体管的栅极。

7.如权利要求1至6中任一项所述的显示基板,还包括:

第二钝化层,位于所述光传感器和所述导电保护层远离所述基底基板的一侧上;

绝缘层,位于所述第二钝化层远离所述基底基板的一侧上;以及

发光元件的第一电极和偏置电压信号线,位于绝缘层的远离基底的一侧上;

其中,所述偏置电压信号线延伸穿过所述绝缘层和所述第二钝化层以连接到偏置电极;

所述偏置电极电性连接至光传感器;以及

所述发光元件的第一电极和所述偏置电压信号线在同一层中,并且由相同的基本透明的导电材料制成。

8.如权利要求7所述的显示基板,其中,所述第二薄膜晶体管的源极在所述基底基板上的正投影覆盖所述光传感器在所述基底基板上的正投影。

9.如权利要求8所述的显示基板,其中,所述光传感器包括连接到所述偏置电极的第一极性区域、连接到所述第一薄膜晶体管的源极的第二极性区域、以及连接所述第一极性区域和所述第二极性区域的二极管结;以及

至少所述第二极性区域包括非晶硅。

10.如权利要求9所述的显示基板,还包括在子像素区中且在所述发光元件和所述硅有机玻璃层之间的滤光片。

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