[发明专利]显示基板、显示装置和制造显示基板的方法有效

专利信息
申请号: 201980002277.9 申请日: 2019-11-04
公开(公告)号: CN110998855B 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 王国英;林奕呈;王玲;宋振;徐攀;张星;韩影;高展 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H10K59/122 分类号: H10K59/122;H10K59/129;H10K59/00;H01L27/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 显示装置 制造 方法
【说明书】:

提供具有多个子像素的显示基板。多个子像素中的相应一个包括发光元件;第一薄膜晶体管,被配置为驱动发光元件的发光;以及发光亮度值检测器。发光亮度值检测器包括第二薄膜晶体管;以及光传感器,其电连接到所述第二薄膜晶体管并且被配置为检测发光亮度值。所述显示基板还包括在所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管中的至少一个的远离基底基板的一侧上的硅有机玻璃层;光传感器位于硅有机玻璃层远离基底基板的一侧。

技术领域

发明涉及显示技术,更具体地,涉及显示基板、显示装置和制造显示基板的方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示装置是自发光装置,并且不需要背光。与传统的液晶显示(LCD)装置相比,OLED显示装置还提供更鲜艳的颜色和更大的色域。此外,OLED显示装置可以比典型的LCD装置更柔性、更薄、更轻。OLED显示装置通常包括阳极、包括发光层的有机层和阴极。OLED可以是底发光型OLED或顶发光型OLED。

发明内容

在一个方面,本发明提供了一种显示基板,包括多个子像素;所述多个子像素中的相应一个包括发光元件;第一薄膜晶体管,被配置为驱动发光元件的发光;以及发光亮度值检测器;其中,发光亮度值检测器包括第二薄膜晶体管;以及光传感器,其电连接到所述第二薄膜晶体管并且被配置为检测发光亮度值;其中,所述显示基板还包括位于所述第一薄膜晶体管或所述第二薄膜晶体管中的至少一个的远离基底基板的一侧上的硅有机玻璃层;光传感器位于硅有机玻璃层远离基底的一侧。

可选地,所述显示基板还包括位于所述硅有机玻璃层远离所述基底基板一侧的导电保护层;其中,所述光传感器位于所述导电保护层远离所述硅有机玻璃层的一侧;导电保护层在基底上的正投影覆盖第一薄膜晶体管的至少沟道部分在基底上的正投影。导电保护层在基底上的正投影覆盖第二薄膜晶体管的至少沟道部分在基底上的正投影。

可选地,所述导电保护层包括第一导电保护块和第二导电保护块;第一导电保护块在底基板上的正投影覆盖第一薄膜晶体管的至少沟道部分在底基板上的正投影;第二导电保护块在基底基板上的正投影覆盖第二薄膜晶体管的至少沟道部分在基底基板上的正投影。

可选地,所述导电保护层还包括分别与所述第一导电保护块和第二导电保护块同层的第一连接电极和第二连接电极;第一连接电极将第一薄膜晶体管的漏极与发光元件电连接;第二连接电极将光传感器与第二薄膜晶体管的源极电连接。

可选地,所述第二连接电极在所述底基板上的正投影覆盖所述光传感器在所述底基板上的正投影。

可选地,所述显示基板还包括位于所述硅有机玻璃层和所述导电保护层之间的第一钝化层;其中第一连接电极延伸穿过第一钝化层和硅有机玻璃层以连接到第一薄膜晶体管的漏极;第二连接电极延伸穿过第一钝化层和硅有机玻璃层,以连接到第二薄膜晶体管的源极。

可选地,第一导电保护块延伸穿过第一钝化层和硅有机玻璃层以连接到第一薄膜晶体管的栅极;第二导电保护块延伸穿过第一钝化层和硅有机玻璃层,以连接到第二薄膜晶体管的栅极。

可选地,所述显示基板还包括位于所述光传感器和所述导电保护层远离所述基底基板的一侧上的第二钝化层;绝缘层,位于第二钝化层远离基底基板的一侧上;以及发光元件的第一电极和偏置电压信号线,位于绝缘层的远离基底基板的一侧上;其中偏置信号线延伸穿过绝缘层和第二钝化层以连接到偏置电极;偏置电极电连接至光感测器;发光元件的第一电极和偏置电压信号线在同一层中,并且由相同的基本透明的导电材料制成。

可选地,所述第二薄膜晶体管的源极在所述基底基板上的正投影覆盖所述光传感器在所述基底基板上的正投影。

可选地,所述光传感器包括连接到所述偏置电极的第一极性区域、连接到所述第一薄膜晶体管的源极的第二极性区域、以及连接所述第一极性区域和所述第二极性区域的二极管结;并且至少第二极性区域包括非晶硅。

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