[发明专利]氧化物薄膜和用于制造该薄膜的溅射靶用氧化物烧结体有效
| 申请号： | 201980002388.X | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110637102B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 奈良淳史;宗安慧 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C01G33/00;C01G39/02;C23C14/34;H01B5/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜 用于 制造 溅射 烧结 | ||
1.一种氧化物薄膜，其包含Nb、Mo、O，其特征在于，Nb与Mo的含有比率以原子比计为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8，O与金属(Nb+Mo)的含有比率以原子比计为1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.0。
2.如权利要求1所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述氧化物薄膜的在可见光区域(波长：380nm～780nm)中的平均反射率为30％以下。
3.如权利要求1所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述氧化物薄膜的在可见光区域(波长：380nm～780nm)中的平均透射率为20％以下。
4.如权利要求2所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述氧化物薄膜的在可见光区域(波长：380nm～780nm)中的平均透射率为20％以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述氧化物薄膜的表面电阻率为1.0×105Ω/□以下。
6.如权利要求1～4中任一项所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述氧化物薄膜的恒温恒湿试验前后的可见光区域(波长：380nm～780nm)中的平均反射率的变化率为30％以下。
7.如权利要求1～4中任一项所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述氧化物薄膜的恒温恒湿试验前后的可见光区域(波长：380nm～780nm)中的平均透射率的变化率为30％以下。
8.如权利要求1～4中任一项所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述氧化物薄膜的恒温恒湿试验前后的表面电阻率的变化率为30％以下。
9.如权利要求1～4中任一项所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述氧化物薄膜的膜厚为20nm～2000nm。
10.如权利要求1～4中任一项所述的氧化物薄膜，其特征在于，所述氧化物薄膜为非晶薄膜。
11.一种氧化物烧结体，其包含Nb、Mo、O，其特征在于，Nb与Mo的含有比率以原子比计为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8，O与金属(Nb+Mo)的含有比率以原子比计为1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.1，MoO2相的归属于(-111)面的XRD峰强度IMoO2与背景强度IBG的关系满足IMoO2/IBG＞3。
12.如权利要求11所述的氧化物烧结体，其特征在于，所述氧化物烧结体的相对密度为80％以上。
13.如权利要求11或12所述的氧化物烧结体，其特征在于，所述氧化物烧结体的体积电阻率为100mΩ·cm以下。
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