[发明专利]量子点发光二极管、显示装置和制造量子点发光二极管的方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括：

第一电极层；

所述第一电极层上的电子传输层；

所述电子传输层的远离所述第一电极层的一侧上的量子点层；以及

在所述电子传输层和所述量子点层之间的界面处的界面含非氧化物硫族元素化合物，

其中，所述电子传输层包括电子传输含非氧化物硫族元素材料，

所述界面含非氧化物硫族元素化合物包括来自所述量子点层的金属元素和来自所述电子传输层的非氧化物硫族元素，并且

所述非氧化物硫族元素选自由硫离子、硒离子和碲离子构成的组；

其中，所述电子传输层包括梯度合金复合子层，所述梯度合金复合子层包括电子传输氧化物材料和所述电子传输含非氧化物硫族元素材料，并且

所述电子传输含非氧化物硫族元素材料具有所述电子传输含非氧化物硫族元素材料的含量沿着从所述量子点层到所述第一电极层的方向减小的梯度分布；

其中，所述电子传输氧化物材料和所述电子传输含非氧化物硫族元素材料包含至少一种共同的金属元素；

所述电子传输层还包括在所述梯度合金复合子层和所述量子点层之间的电子传输含非氧化物硫族元素材料子层，

其中，所述电子传输含非氧化物硫族元素材料子层不含所述电子传输氧化物材料；其中，所述界面含非氧化物硫族元素化合物位于所述电子传输含非氧化物硫族元素材料子层与所述量子点层之间的界面处。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其中，所述电子传输氧化物材料具有所述电子传输氧化物材料的含量沿着从所述第一电极层到所述量子点层的方向减小的梯度分布。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其中，所述电子传输含非氧化物硫族元素材料子层和所述量子点层的与所述电子传输含非氧化物硫族元素材料子层最接近的部分的量子点材料包括至少一种共同的金属元素和至少一种共同的非金属元素。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的量子点发光二极管，其中，所述电子传输层还包括所述第一电极层和所述梯度合金复合子层之间的电子传输氧化物材料子层，

其中，所述电子传输氧化物材料子层不含所述电子传输含非氧化物硫族元素材料。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的量子点发光二极管，其中，所述量子点层包括核和壳，

其中，所述核包括选自由CdS、CdSe、ZnSe、InP、CuInS、(Zn)CuInS、(Mn)CuInS、AgInS、(Zn)AgInS、CuInSe、CuInSeS、PbS、有机无机钙钛矿材料、无机钙钛矿材料及其任何组合或合金构成的组的材料，并且

所述壳包括选自由ZnS、ZnSeS、CdS、有机无机钙钛矿材料、无机钙钛矿材料及其任何组合或合金构成的组的材料。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的量子点发光二极管，其中，所述电子传输氧化物材料是选自由氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌和氧化镁铝锌构成的组的材料。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的量子点发光二极管，其中，所述电子传输含非氧化物硫族元素材料是选自由硫化锌、硫化镁锌、硫化铝锌和硫化镁铝锌构成的组的材料。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的量子点发光二极管，其中，所述梯度合金复合子层具有六方晶体结构。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的量子点发光二极管，其中，所述梯度合金复合子层具有六方晶体结构，并且

所述电子传输含非氧化物硫族元素材料子层具有纤锌矿晶体结构。

10.一种显示装置，包括：根据权利要求1至9中任一项所述的量子点发光二极管的阵列，以及连接到所述量子点发光二极管的像素驱动电路，

其中，所述量子点发光二极管还包括在所述量子点层的远离所述第一电极层的一侧上的第二电极层。