[发明专利]量子点发光二极管、显示装置和制造量子点发光二极管的方法有效
申请号: | 201980002429.5 | 申请日: | 2019-11-14 |
公开(公告)号: | CN110998891B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 张爱迪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | H10K50/115 | 分类号: | H10K50/115;H10K50/16;H10K71/00;H10K59/10;H10K99/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 发光二极管 显示装置 制造 方法 | ||
提供了一种量子点发光二极管。该量子点发光二极管包括:第一电极层;第一电极层上的电子传输层;和电子传输层的远离第一电极层的一侧上的量子点层。该电子传输层包括梯度合金复合子层,该梯度合金复合子层包括电子传输氧化物材料和电子传输含非氧化物硫族元素材料。该非氧化物硫族元素选自由硫离子、硒离子和碲离子构成的组。该电子传输含非氧化物硫族元素材料具有梯度分布,使得电子传输含非氧化物硫族元素材料的含量沿着从量子点层到第一电极层的方向减小。
技术领域
本发明涉及显示技术,更具体地,涉及量子点发光二极管、显示装置和制造量子点发光二极管的方法。
背景技术
量子点发光二极管通常包括具有多个量子点纳米晶体的发光层。发光层夹在电子传输层和空穴传输层之间。将电场施加到量子点发光二极管,使电子和空穴移动到发光层中。在发光层中,电子和空穴被捕获在量子点中并被重新组合,发射光子。与有机发光二极管相比,量子点发光二极管的发射光谱更窄。
发明内容
一方面,本发明提供了一种量子点发光二极管,包括:第一电极层;第一电极层上的电子传输层;电子传输层的远离第一电极层的一侧上的量子点层;以及在电子传输层和量子点层之间的界面处的界面含非氧化物硫族元素化合物,其中,电子传输层包括电子传输含非氧化物硫族元素材料,界面含非氧化物硫族元素化合物包括来自量子点层的金属元素和来自电子传输层的非氧化物硫族元素,并且非氧化物硫族元素选自由硫离子、硒离子和碲离子构成的组。
可选地,电子传输层包括梯度合金复合子层,所述梯度合金复合子层包括电子传输氧化物材料和电子传输含非氧化物硫族元素材料,并且电子传输含非氧化物硫族元素材料具有梯度分布,使得电子传输含非氧化物硫族元素材料的含量沿着从量子点层到第一电极层的方向减小。
可选地,电子传输氧化物材料具有梯度分布,使得电子传输氧化物材料的含量沿着从第一电极层到量子点层的方向减小。
可选地,电子传输氧化物材料和电子传输含非氧化物硫族元素材料包含至少一种共同的金属元素。
可选地,电子传输层还包括在梯度合金复合子层和量子点层之间的电子传输含非氧化物硫族元素材料子层,其中,电子传输含非氧化物硫族元素材料子层实质上不含所述电子传输氧化物材料。
可选地,界面含非氧化物硫族元素化合物位于电子传输含非氧化物硫族元素材料子层与量子点层之间的界面处。
可选地,电子传输含非氧化物硫族元素材料子层和量子点层的与电子传输含非氧化物硫族元素材料子层最接近的部分的量子点材料包括至少一种共同的金属元素和至少一种共同的非金属元素。
可选地,电子传输层还包括第一电极层和梯度合金复合子层之间的电子传输氧化物材料子层,其中,电子传输氧化物材料子层实质上不含电子传输含非氧化物硫族元素材料。
可选地,量子点层包括核和壳,其中,核包括选自由CdS、CdSe、ZnSe、InP、CuInS、(Zn)CuInS、(Mn)CuInS、AgInS、(Zn)AgInS、CuInSe、CuInSeS、PbS、有机无机钙钛矿材料、无机钙钛矿材料及其任何组合或合金构成的组的材料,并且壳包括选自由ZnS、ZnSeS、CdS、有机无机钙钛矿材料、无机钙钛矿材料及其任何组合或合金构成的组的材料。
可选地,电子传输氧化物材料是选自由氧化锌、氧化镁锌、氧化铝锌和氧化镁铝锌构成的组的材料。
可选地,电子传输含非氧化物硫族元素材料是选自由硫化锌、硫化镁锌、硫化铝锌和硫化镁铝锌构成的组的材料。
可选地,梯度合金复合子层具有六方晶体结构。
可选地,梯度合金复合子层具有六方晶体结构,并且电子传输含非氧化物硫族元素材料子层具有纤锌矿晶体结构。
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