[发明专利]电容器及其制造方法

说明书

提供一种能够实现大的电容量的电容器。实施方式的电容器(1A)包括：基板(10)，具有第一面与第二面，设置有一个以上的贯通孔(TH1)，该一个以上的贯通孔(TH1)分别从所述第一面延伸至所述第二面；第一导电层(20a)，覆盖所述第一面、所述第二面以及所述一个以上的贯通孔(TH1)的侧壁；第二导电层(20b)，隔着所述第一导电层(20a)而与所述第一面、所述第二面以及所述一个以上的贯通孔(TH1)的侧壁相对；以及电介质层(50)，夹设于所述第一导电层(20a)与所述第二导电层(20b)之间。

技术领域

本发明的实施方式涉及电容器及其制造方法。

背景技术

多数的电气电子设备包括电容器。这样的电容器例如通过在硅基板上形成导电层、电介质层来获得(参照日本特开平8－213565号公报)。

发明内容

本发明要解决的课题在于，提供一种能够实现大的电容量的电容器。

根据第一方案，提供一种电容器，具备：基板，具有第一面与第二面，且设置有一个以上的第一贯通孔，该一个以上的第一贯通孔分别从所述第一面延伸至所述第二面；第一导电层，覆盖所述第一面、所述第二面以及所述一个以上的第一贯通孔的侧壁；第二导电层，隔着所述第一导电层而与所述第一面、所述第二面以及所述一个以上的第一贯通孔的侧壁相对；以及电介质层，夹设于所述第一导电层与所述第二导电层之间。

根据第二方案，提供一种电容器，具备：基板，具有第一主面与第二主面，在所述第一主面设置有多个沟槽，在分别被所述多个沟槽的相邻的两个沟槽夹着的一个以上的部分设置有一个以上的贯通孔，该一个以上的贯通孔将所述相邻的两个沟槽的一方与另一方相连；第一导电层，覆盖所述第一主面、所述沟槽的侧壁及底面以及所述一个以上的贯通孔的侧壁；第二导电层，隔着所述第一导电层而与所述第一主面、所述沟槽的所述侧壁及所述底面以及所述一个以上的贯通孔的所述侧壁相对；以及电介质层，夹设于所述第一导电层与所述第二导电层之间。

根据第三方案，提供一种电容器的制造方法，包括如下工序：在基板上，以局部地覆盖所述基板的表面的方式形成含有第一贵金属的第一催化剂层；在所述第一贵金属作为催化剂的作用下蚀刻所述基板，在所述基板形成一个以上的第一贯通孔；在形成了所述一个以上的第一贯通孔的所述基板上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成电介质层；以及在所述电介质层上形成第二导电层。

根据第四方案，提供一种电容器，具备：基板，具有第一主面与第二主面，在所述第一主面设置有一个以上的第一沟槽，在所述一个以上的第一沟槽的侧壁设置有多个第一孔，该多个第一孔分别向相对于所述第一沟槽的所述侧壁倾斜的第一方向延伸；第一导电层，覆盖所述第一主面、所述第一沟槽的侧壁及底面以及所述多个第一孔的侧壁；第二导电层，隔着所述第一导电层而与所述第一主面、所述第一沟槽的所述侧壁及所述底面以及所述一个以上的第一孔的所述侧壁相对；以及电介质层，夹设于所述第一导电层与所述第二导电层之间。

根据第五方案，提供一种电容器的制造方法，包括如下工序：在具有第一主面与第二主面的基板的所述第一主面，形成一个以上的第一沟槽；在所述一个以上的第一沟槽的侧壁，以局部地覆盖所述一个以上的第一沟槽的所述侧壁的方式，形成含有第一贵金属的第一催化剂层；在所述第一贵金属作为催化剂的作用下蚀刻所述第一沟槽的所述侧壁，在所述第一沟槽的所述侧壁形成多个第一孔，该多个第一孔分别向相对于所述第一沟槽的所述侧壁倾斜的第一方向延伸；在形成了所述多个第一孔的所述基板上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成电介质层；以及在所述电介质层上形成第二导电层。

附图说明

图1是概略地表示第一实施方式的电容器的俯视图。

图2是图1所示的电容器的一剖面图。

图3是图1所示的电容器的其他剖面图。

图4是图1所示的电容器的又一其他剖面图。