[发明专利]用于三维存储器的单元电流测量

权利要求书

1.一种测量三维3D存储器件中的存储单元的电流的方法，包括：

将第一测试电压施加至所述3D存储器件的外围电路的源极线焊盘，其中

所述源极线焊盘电连接至所述3D存储器件的3D存储阵列的公共源极线；并且

形成于第一衬底上的所述外围电路和形成于第二衬底上的所述3D存储阵列通过直接键合来电连接；

将第二测试电压施加至所述3D存储阵列的位线焊盘，其中所述位线焊盘和所述3D存储阵列形成在所述第二衬底的相对侧上，并且所述位线焊盘使用贯穿阵列接触与所述存储单元的位线电连接；

将操作电压施加至所述存储单元的字线，其中所述字线电连接至所述存储单元的控制栅；

将通过电压施加至未被选择的存储单元的字线；以及

测量流经所述位线焊盘或所述源极线焊盘的电流。

2.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述第二测试电压包括施加处于0V至10V之间的电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述第一测试电压包括施加0V的电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述操作电压包括施加处于0.5V至5V之间的电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述通过电压包括施加处于0V至10V之间的电压。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过所述外围电路的第一晶体管使所述公共源极线与内部地断开电连接；以及

通过所述外围电路的第二晶体管使所述公共源极线与所述源极线焊盘电连接。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在对应于所述存储单元的存储器串的下部选择栅和顶部选择栅上施加开关电压。

8.根据权利要求7所述的方法，其中施加所述开关电压包括施加处于0.5V至5V之间的电压。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过掺杂源极线区和阵列公共源极使所述公共源极线和所述存储单元的存储器串的源极端子电连接。

10.根据权利要求1所述的方法，其中穿过所述第二衬底的所述贯穿阵列接触被配置成在所述位线焊盘和所述位线之间形成电接触。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过键合界面处的一个或多个互连VIA使所述源极线焊盘与所述3D存储阵列的所述公共源极线电连接。

12.一种测量三维3D存储器件中的存储单元的电流的方法，包括：

将第一测试电压施加至所述3D存储器件的外围电路的源极线焊盘，其中

所述源极线焊盘电连接至所述3D存储器件的3D存储阵列的公共源极线；并且

形成于第一衬底上的所述外围电路和形成于第二衬底上的所述3D存储阵列通过直接键合来电连接；

将第二测试电压施加至电源焊盘，其中所述电源焊盘电连接至所述外围电路的页缓冲器，所述页缓冲器被配置成为所述存储单元提供暂时存储；

将操作电压施加至所述存储单元的字线，其中所述字线电连接至所述存储单元的控制栅；

将通过电压施加至未被选择的存储单元的字线；以及

检测流经所述电源焊盘或所述源极线焊盘的电流。

13.根据权利要求12所述的方法，其中施加所述第一测试电压包括施加处于0V至10V之间的电压。

14.根据权利要求12所述的方法，其中施加所述第二测试电压包括施加处于0V至10V之间的电压。

15.根据权利要求12所述的方法，其中施加所述操作电压包括施加处于0.5V至5V之间的电压。