[发明专利]驱动基板及其制备方法、发光基板和显示装置

权利要求书

1.一种驱动基板，包括：

基底；

位于所述基底上的第一绝缘层和多条第一导线；所述第一绝缘层具有开口，所述第一导线位于所述开口中，所述第一导线在所述基底的正投影与其所处开口在所述基底的正投影重合，在所述第一导线的长度方向的任意位置处，所述第一导线的每个侧面均至少在部分高度上与所述第一导线所处开口的侧面接触；所述第一导线包括沿远离所述基底方向依次叠置的种子线和生长线；

位于所述第一导线远离所述基底一侧的多条第二导线；每条所述第二导线均与一条所述第一导线连接，且具有用于与发光单元连接的连接区；

所述驱动基板还包括位于所述第一导线和所述第一绝缘层远离所述基底一侧，且位于所述第二导线靠近所述基底一侧的第二绝缘层；

所述第二导线通过至少贯穿所述第二绝缘层的第一过孔与所述第一导线连接；

所述第二绝缘层为由有机绝缘材料构成的平坦化层；或者，所述第二绝缘层包括多个叠置的子层，多个所述子层包括至少一个由有机绝缘材料构成的平坦化层，以及至少一个由无机材料构成的钝化层；

所述第一导线的最小线宽为100μm；

所述驱动基板还包括：

位于所述第二导线远离所述基底一侧的第三绝缘层，

位于所述第三绝缘层靠近所述基底一侧的接地电极，

位于所述第二绝缘层远离所述基底一侧的反光层；

所述接地电极位于所述第二绝缘层靠近所述基底一侧；

所述反光层通过贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的第三过孔连接所述接地电极；

所述接地电极与所述第一导线种子层同层设置。

2.根据权利要求1所述的驱动基板，其中，

所述第一绝缘层的材料包括聚酰亚胺树脂、聚酰胺、聚氨酯、酚醛树脂、聚硅氧烷中的任一项。

3.根据权利要求2所述的驱动基板，其中，

所述平坦化层的材料包括聚酰胺、聚氨酯、酚醛树脂、聚硅氧烷中的任一项；

所述钝化层的材料包括硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物中的任一项。

4.根据权利要求2所述的驱动基板，其中，所述反光层的材料包括银、铝、铜中的任一项。

5.根据权利要求4所述的驱动基板，其中，还包括至少贯穿所述第三绝缘层且连通至所述连接区的第二过孔；所述反光层位于所述第三绝缘层远离所述基底一侧；所述第三绝缘层的材料包括硅的氮化物、硅的氧化物、硅的氮氧化物中的任一项。

6.根据权利要求5所述的驱动基板，其中，还包括位于所述反光层远离所述基底一侧的第四绝缘层；所述第二过孔还贯穿所述第四绝缘层；所述第四绝缘层的材料包括硅的氮化物、硅的氧化物、硅的氮氧化物中的任一项。

7.根据权利要求1所述的驱动基板，其中，

所述基底为玻璃基底。

8.根据权利要求1所述的驱动基板，其中，

所述第一导线的厚度在1μm至40μm之间。

9.根据权利要求1所述的驱动基板，其中，所述第一导线远离所述基底的表面与所述第一绝缘层远离所述基底的表面齐平。

10.根据权利要求1所述的驱动基板，其中，还包括：

位于所述基底朝向所述第一绝缘层一侧，且位于所述第一绝缘层和所述第一导线朝向所述基底一侧的缓冲层；所述缓冲层的材料包括硅的氮化物、硅的氧化物和硅的氮氧化物中的任一项，所述缓冲层的厚度在500Å-3000Å之间。

11.根据权利要求10所述的驱动基板，其中，还包括：

位于所述缓冲层与所述第一绝缘层之间的防氧化层，所述防氧化层的材料包括硅的氮化物、硅的氧化物、硅的氮氧化物、铟镓锌氧化物、氧化铟锌、氧化镓锌、氧化铟锡中的任一项。