[发明专利]对位标记、掩模板及显示基板母版有效
申请号: | 201980002708.1 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN113196167B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 肖丽;赵蛟;刘冬妮;玄明花;郑皓亮;陈亮;陈昊;张振宇;刘静;齐琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对位 标记 模板 显示 母版 | ||
1.一种对位标记,其特征在于,所述对位标记包括:
位于基板的第一面的第一对位标识;和,
位于基板的第二面的第二对位标识;
其中,所述基板为透光基板;所述第二对位标识与所述第一对位标识匹配设置,所述第二对位标识能够表征其与所述第一对位标识之间的工艺偏差;
所述第一对位标识包括至少一条第一基准线和至少一条第二基准线,其中,第一基准线的延伸方向和第二基准线的延伸方向垂直或大略垂直;所述第二对位标识包括与所述至少一条第一基准线一一对应的第一对位图形,与所述至少一条第二基准线一一对应的第二对位图形;所述第二对位标识还包括多个第一方向位移值标识和多个第二方向位移值标识;所述第一对位图形包括呈V形分布的多个第一对位块,所述第一对位图形的对称中心线与所述第一基准线平行;所述第二对位图形包括呈V形分布的多个第二对位块,所述第二对位图形的对称中心线与所述第二基准线平行;所述多个第一对位块和所述多个第一方向位移值标识一一对应,所述多个第二对位块和所述多个第二方向位移值标识一一对应。
2.根据权利要求1所述的对位标记,其特征在于,
所述多个第一方向位移值标识位于所述第一对位图形旁侧;
所述多个第二方向位移值标识位于所述第二对位图形旁侧。
3.根据权利要求1所述的对位标记,其特征在于,
所述多个第一对位块中的每个的形状包括矩形、三角形或菱形;
所述多个第二对位块中的每个的形状包括矩形、三角形或菱形。
4.根据权利要求1所述的对位标记,其特征在于,
所述多个第一对位块中的每个沿所述第一基准线的延伸方向的尺寸范围为30μm~50μm,沿所述第一基准线的垂直方向的尺寸范围为2μm~10μm;
所述多个第二对位块中的每个沿所述第二基准线的延伸方向的尺寸范围为30μm~50μm,沿所述第二基准线的垂直方向的尺寸范围为2μm~10μm。
5.根据权利要求1所述的对位标记,其特征在于,
沿所述第一基准线的垂直方向,所述多个第一对位块中位于V形底部且并排相邻的两个第一对位块之间的间隔与所述第一基准线的线宽相等或大略相等;所述多个第一对位块中位于V形顶部且并排相邻的两个第一对位块之间的间隔≤所述第一基准线的线宽加上2倍的工艺偏差极大值之和;
沿所述第二基准线的垂直方向,所述多个第二对位块中位于V形底部且并排相邻的两个第二对位块之间的间隔与所述第二基准线的线宽相等或大略相等;所述多个第二对位块中位于V形顶部且并排相邻的两个第二对位块之间的间隔≤所述第二基准线的线宽加上2倍的工艺偏差极大值之和。
6.根据权利要求1所述的对位标记,其特征在于,
所述多个第一方向位移值标识中的每个为阿拉伯数字或罗马数字;所述每个第一方向位移值标识为对应的所述第一对位块与所述第一基准线二者间隔为零或接近于零时表征的工艺偏差值;
所述多个第二方向位移值标识中的每个为阿拉伯数字或罗马数字;所述每个第二方向位移值标识为对应的所述第二对位块与所述第二基准线二者间隔为零或接近于零时表征的工艺偏差值。
7.根据权利要求6所述的对位标记,其特征在于,
所述多个第一方向位移值标识中相邻两个第一方向位移值之间的差值的取值范围为0.5μm~2μm;
所述多个第二方向位移值标识中相邻两个第二方向位移值之间的差值的取值范围为0.5μm~2μm。
8.根据权利要求1~7任一项所述的对位标记,其特征在于,所述第一对位标识和所述第二对位标识的材料包括遮光材料;所述遮光材料的光透过率小于或等于10%。
9.一组掩模板,其特征在于,所述一组掩模板包括第一掩模板和第二掩模板,所述第一掩模板具有如权利要求1~8任一项所述的至少一个第一对位标识的图案;
所述第二掩模板具有如权利要求1~8任一项所述的至少一个第二对位标识的图案。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备