[发明专利]一种半导体芯片、制备方法及显示面板

权利要求书

1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：外延层以及设置在所述外延层上的第一电极、第二电极和金属阻挡层；所述金属阻挡层位于所述第一电极和第二电极之间，且分别与所述第一电极和第二电极相抵接；所述金属阻挡层的高度大于所述第一电极和第二电极的高度。

2.根据权利要求1所述半导体芯片，其特征在于，所述金属阻挡层高出所述第一电极和第二电极的高度小于或等于与所述第一电极和第二电极焊接的焊盘的高度。

3.根据权利要求2所述半导体芯片，其特征在于，所述第一电极和第二电极的接触面积等于与所述第一电极和第二电极焊接的焊盘的接触面积。

4.根据权利要求1所述半导体芯片，其特征在于，所述外延层包括：第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述多量子阱层设置在所述第一半导体层与第二半导体层之间，所述第一半导体层与所述第一电极连接，所述第二半导体层与所述第二电极连接。

5.根据权利要求4所述半导体芯片，其特征在于，所述第一半导体层或第二半导体层为N型半导体层或P型半导体层，且所述第一半导体层和第二半导体层不同时为N型半导体层或P型半导体层。

6.根据权利要求5所述半导体芯片，其特征在于，所述第一半导体层或第二半导体层为P型半导体层时，与对应的所述第一电极或第二电极之间还设置有用于将第一电极或第二电极的电流扩散到P型半导体层的电流扩散层。

7.根据权利要求1所述半导体芯片，其特征在于，所述金属阻挡层为绝缘材料。

8.根据权利要求1所述半导体芯片，其特征在于，还包括衬底和保护层；所述外延层形成于所述衬底上方，所述保护层形成于所述外延层上并完全覆盖所述外延层远离所述半导体芯片的一侧。

9.根据权利要求8所述的半导体芯片，其特征在于，所述保护层为氧化钛与二氧化硅中的一种或由多层氧化钛与多层二氧化硅交替排列构成。

10.一种半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在外延层上设置第一电极和第二电极；

在所述第一电极和第二电极之间设置金属阻挡层，并将所述金属阻挡层分别与所述第一电极和第二电极相抵接；所述金属阻挡层的高度大于所述第一电极和第二电极的高度。

11.根据权利要求10所述的半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述在外延层上设置第一电极和第二电极具体包括：

在所述外延层上设置第一凹槽和第二凹槽；

在所述第一凹槽和第二凹槽的上方和内壁覆盖保护层；

将所述第一电极设置在所述第一凹槽内，所述第二电极设置在第二凹槽内。

12.根据权利要求11所述的半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述外延层包括：第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述第一凹槽贯穿至所述第一半导体层，所述第二凹槽贯穿至第二半导体层；所述多量子阱层设置在所述第一半导体层与第二半导体层之间，所述第一半导体层与所述第一电极连接，所述第二半导体层与所述第二电极连接。

13.根据权利要求12所述的半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极和第二电极之间设置金属阻挡层，并将所述金属阻挡层分别与所述第一电极和第二电极相抵接具体包括：

在所述外延层上设置第三凹槽，将所述金属阻挡层设置在所述第三凹槽内；

将所述金属阻挡层露出所述第三凹槽的部分与所述第一电极和第二电极相抵接。

14.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的半导体芯片。