[发明专利]一种半导体芯片、制备方法及显示面板

说明书

本发明公开了一种半导体芯片、制备方法及显示面板，所述半导体芯片包括外延层以及设置在所述外延层上的第一电极、第二电极和金属阻挡层；其中，金属阻挡层位于所述第一电极和第二电极之间，且分别与所述第一电极和第二电极相抵接；所述金属阻挡层的高度大于所述第一电极和第二电极的高度；通过在半导体芯片的两个电极之间设置金属阻挡层，可以在焊接半导体芯片时阻挡多于的焊料流过半导体芯片的两个电极之间的沟道，因此，可以有效的避免焊接半导体芯片时出现短路的问题，从而提高了半导体产品制作过程中的焊接良率，保证产品的稳定生产。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及的是一种半导体芯片、制备方法及显示面板。

背景技术

随着显示技术的不断发展，新型的Mini/Micro LED(微型有机发光二极管)显示器,具有良好的稳定性，寿命，以及运行温度上的优势，同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,具有极大的应用前景。目前Mini/Micro LED显示器或可视化产品的制程中，焊接良率一直是行业内关注的焦点问题；在焊接过程中极易出现焊接短路的情况，其中短路会造成死灯；以上的不良现象会随着LED尺寸逐渐变小，其风险会逐渐加大。

请参阅图1，为传统的LED的基本结构，包括：衬底01、外延层02、第一电极03和第二电极04；两个电极之间存在一定的间距，在LED制备完成后，通过焊接的方式组装到线路板，具体焊接方式请参阅图2，将LED的两个电极和线路板上对应的两个金属垫对准后通过焊料将其固定连接；目前业界常用的焊接方式为：

1、选择两个适当的可以形成共晶的焊料金属，加热到共晶点，使两金属在接触面处开始熔融共晶；

2、利用表面贴装工艺，刷锡膏过回流焊，使锡膏熔化，然后凝固完成固晶；

3、选择熔点较低的金属焊料，加热使其熔化，再凝固完成焊接。

然而目前的焊接方式都是使焊料熔化，再凝固，然后完成焊接的方式，这样可能会出现以下不良情况：焊料充足且熔融完全，会向边缘流动，可能会造成短路。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种半导体芯片、制备方法及显示面板，旨在克服现有半导体在与线路板焊接时因焊料流动易造成短路的缺陷。

本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：

一种半导体芯片，其中，包括：外延层以及设置在所述外延层上的第一电极、第二电极和金属阻挡层；所述金属阻挡层位于所述第一电极和第二电极之间，且分别与所述第一电极和第二电极相抵接；所述金属阻挡层的高度大于所述第一电极和第二电极的高度。

进一步的，所述的半导体芯片，其中，所述金属阻挡层高出所述第一电极和第二电极的高度小于或等于与所述第一电极和第二电极焊接的焊盘的高度。

进一步的，所述的半导体芯片，其中，所述第一电极和第二电极的接触面积等于与所述第一电极和第二电极焊接的焊盘的接触面积。

进一步的，所述的半导体芯片，其中，所述外延层包括：第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述多量子阱层设置在所述第一半导体层与第二半导体层之间，所述第一半导体层与所述第一电极连接，所述第二半导体层与所述第二电极连接。

进一步的，所述的半导体芯片，其中，所述第一半导体层或第二半导体层为N型半导体层或P型半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层不同时为N型半导体层或P型半导体层。

进一步的，所述的半导体芯片，其中，所述第一半导体层或第二半导体层为P型半导体层时，与对应的所述第一电极或第二电极之间还设置有用于将第一电极或第二电极的电流扩散到P型半导体层的电流扩散层。