[发明专利]一种半导体发光组件

权利要求书

1.一种半导体发光组件，包括：半导体叠层体、位于所述半导体叠层体之上的绝缘保护层和位于绝缘保护层上的电极，所述电极含有：第一导电型电极、以及与所述第一导电型电极的导电型不同的第二导电型电极，所述第一导电型电极与第二导电型电极存在一定的间隙，定义该电极间隙的空间体积为V₁，其特征在于：于所述第一导电型电极与第二导电型电极之间设置吸嘴吸附层，所述吸嘴吸附层位于绝缘层上，并且所述的吸嘴吸附层的空间体积V₂占所述电极间隙的空间体积V₁的比例：V₂/V₁的比值介于50%~100%，第一导电型电极和第二导电型电极之间的间距小于100μm。

2.根据权利要求1所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述V₂/V₁的比值介于80%~95%。

3.根据权利要求1所述的一种半导体发光组件，其特征在于：定义所述电极结构的高度为H，所述吸嘴吸附层的厚度介于0.8H~1.2H。

4.根据权利要求1所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述吸嘴吸附层包括绝缘结构层或者导电结构层或者二者组合。

5.根据权利要求1所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述吸嘴吸附层呈条状，相邻的吸嘴吸附层之间的间距小于或者等于50μm。

6.根据权利要求4所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述绝缘结构层选用无机介质层或者有机介质层或者二者组合。

7.根据权利要求4所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述绝缘结构层选用SiO₂或者Si₃N₄或者Al₂O₃或者TiO₂或者前述任意组合。

8.根据权利要求4所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述绝缘结构层选用聚合物派瑞林或者聚酰亚胺或者聚苯并恶唑或者聚苯硫醚或者硅胶或者前述任意组合。

9.根据权利要求4所述的一种半导体发光组件，其特征在于：绝缘结构层选用单一材料结构层或者分布布拉格反射层。

10.根据权利要求4所述的一种半导体发光组件，其特征在于：绝缘结构层形状为柱体或者半椭球体或者半球体或者锥体或者前述任意组合。

11.根据权利要求4所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述绝缘结构层呈条状，位于所述半导体发光组件的边缘或者中心区域。

12.根据权利要求4所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述导电结构层选用金属结构层。

13.根据权利要求4所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述导电结构层呈条状，位于所述半导体发光组件的边缘。

14.根据权利要求4所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述导电结构层作为电极的电流扩展条。

15.根据权利要求1所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述电极表面设有一金属层，该金属层与所述吸嘴吸附层表面的粘附性小于该金属层与电极表面的粘附性。

16.根据权利要求15所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述金属层选用Rh或Ru或Ag或Sn或Pt或前述任意组合。

17.根据权利要求15所述的一种半导体发光组件，其特征在于：所述金属层的厚度小于或者等于10nm。