[发明专利]一种半导体发光组件

说明书

本发明提供一种半导体发光组件，包括：半导体叠层体和位于所述半导体叠层体之上的电极，所述电极含有：第一导电型电极、以及与所述第一导电型电极的导电型不同的第二导电型电极，所述第一导电型电极与第二导电型电极存在一定的间隙，定义该电极间隙的空间体积为V₁，其特征在于：于所述第一导电型电极与第二导电型电极之间设置吸嘴吸附层，所述吸嘴吸附层的空间体积V₂占所述电极间隙的空间体积V₁的比例：V₂/V₁的比值介于50%~100%。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体发光组件。

背景技术

LED组件作为一种半导体发光组件，具有小型且发光效率良好，具有鲜艳的发光颜色，而且具备长寿命且优良的驱动特性等，所以近年来，广泛地用于彩色显示装置的背光源的光源、照明等各个领域。图1为现有的电极同侧的LED芯片结构示意图，正负电极(焊盘)之间隔离槽需要预留一定宽度，以保证在后续LED芯片在锡焊过程中，正、负电极之间不短路。

当LED芯片尺寸持续缩小到更小尺度，如mini LED或micro LED，由于LED芯片的尺寸度过小(一般小于150μm)，芯片表面的正、负电极(焊盘)的间距更小（一般小于100μm），而常规的吸嘴直径一般在50~100μm，在进行测试、分选或者转移等作业过程中需要吸取LED芯片时，容易导致正、负电极(焊盘)隔离槽漏气，吸力不足，无法顺利完成作业，如图2所示。此外，由于LED芯片与吸嘴正面接触面积小，当芯片电极(焊盘)面朝转移膜时，粘附差，芯粒易偏转、贴合不牢等问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种半导体发光组件。本发明通过在正负电极结构之间的间隙设置吸嘴吸附层，可以增加分选吸嘴（或转移等用途之吸嘴）与LED芯片的有效接触面积，有效抑制吸嘴吸取LED芯片时的漏气现象，从而提升分选（或转移）良率。

为了实现上述目的，本发明提供的半导体发光组件，包括：半导体叠层体和位于所述半导体叠层体之上的电极，所述电极含有：第一导电型电极、以及与所述第一导电型电极的导电型不同的第二导电型电极，所述第一导电型电极与第二导电型电极存在一定的间隙，定义该电极间隙的空间体积为V₁，其特征在于：于所述第一导电型电极与第二导电型电极之间设置吸嘴吸附层，所述吸嘴吸附层的空间体积V₂占所述电极间隙的空间体积V₁的比例：V₂/V₁的比值介于50%~100%。

优选地，所述V₂/V₁的比值介于80%~95%。

优选地，定义所述电极结构的高度为H，所述吸嘴吸附层的厚度介于0.8H~1.2H。

优选地，所述吸嘴吸附层包括绝缘结构层或者导电结构层或者二者组合。

优选地，所述绝缘结构层选用无机介质层或者有机介质层或者二者组合。

优选地，所述绝缘结构层选用SiO₂或者Si₃N₄或者Al₂O₃或者TiO₂或者前述任意组合。

优选地，所述绝缘结构层选用聚合物派瑞林或者聚酰亚胺或者聚苯并恶唑或者聚苯硫醚或者硅胶或者前述任意组合。

优选地，所述绝缘结构层选用单一材料结构层或者分布布拉格反射层（DBR）。

优选地，所述绝缘结构层形状为柱体或者半椭球体或者半球体或者锥体或者类形体或者前述任意组合。

优选地，所述吸嘴吸附层呈条状或者带状，相邻的吸嘴吸附层之间的间距小于或者等于50μm。