[发明专利]部件的形成方法和基片处理系统在审
申请号: | 201980004516.4 | 申请日: | 2019-05-10 |
公开(公告)号: | CN111133562A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 斋藤道茂;永关一也;金子彰太 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;C23C16/44;H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;王昊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 部件 形成 方法 处理 系统 | ||
1.一种部件的形成方法,其中,所述部件在等离子体处理装置内使用,所述部件的形成方法的特征在于,包括:
根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料一边对所述原料照射能量束的工序。
2.如权利要求1所述的部件的形成方法,其特征在于:
包括测量所述部件的表面状态的工序,
照射所述能量束的工序,在执行了测量所述部件的表面状态的工序后进行。
3.如权利要求1所述的部件的形成方法,其特征在于:
所述部件的表面状态被测量为三维数据。
4.如权利要求3所述的部件的形成方法,其特征在于:
所述三维数据由非接触式的三维扫描仪测量。
5.如权利要求1所述的部件的形成方法,其特征在于:
所述原料是粉末状或者线条状。
6.如权利要求1所述的部件的形成方法,其特征在于:
所述原料为石英、SiC、Si、钨的任意者。
7.如权利要求1所述的部件的形成方法,其特征在于:
照射所述能量束的工序为,在所述原料为金属的情况下照射光学激光或者电子束,在所述原料为所述金属以外的情况下照射紫外线。
8.如权利要求1所述的部件的形成方法,其特征在于:
所述部件为边缘环、盖环、绝缘环和顶部遮挡环的至少任意者。
9.如权利要求1所述的部件的形成方法,其特征在于:
测量所述部件的表面状态的工序为,测量所述部件的消耗状态,
照射所述能量束的工序为,根据所述部件的消耗状态一边供给该部件的原料一边对所述原料照射能量束。
10.一种基片处理系统,其特征在于,包括:
处理容器;和
配置于所述处理容器的内部的部件,
所述部件是通过根据所述部件的表面状态一边供给所述部件的原料一边对所述原料照射能量束的工序而形成的部件。
11.如权利要求10所述的基片处理系统,其特征在于:
所述部件是通过在测量了所述部件的表面状态后,根据所测量的所述部件的表面状态一边供给所述部件的原料一边对所述原料照射能量束的工序而形成的部件。
12.如权利要求10所述的基片处理系统,其特征在于:
所述部件的表面状态被测量为三维数据。
13.如权利要求12所述的基片处理系统,其特征在于:
所述三维数据由非接触式的三维扫描仪测量。
14.如权利要求10所述的基片处理系统,其特征在于:
所述原料是粉末状或者线条状。
15.如权利要求10所述的基片处理系统,其特征在于:
所述原料是石英、SiC、Si、钨的任意者。
16.如权利要求10所述的基片处理系统,其特征在于:
照射所述能量束的工序为,在所述原料为金属的情况下照射光学激光或者电子束,在所述原料为所述金属以外的情况下照射紫外线。
17.如权利要求10所述的基片处理系统,其特征在于:
所述部件是边缘环、盖环、绝缘环和顶部遮挡环的至少任意者。
18.如权利要求10所述的基片处理系统,其特征在于:
测量所述部件的表面状态的工序为,测量所述部件的消耗状态,
照射所述能量束的工序为,根据所述部件的消耗状态一边供给该部件的原料一边对所述原料照射能量束。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造