[发明专利]部件的形成方法和基片处理系统

说明书

本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，该部件的形成方法包括根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料，一边对所述原料照射能量束的工序。

技术领域

本发明涉及部件的形成方法和基片处理系统。

背景技术

随着高高宽比的蚀刻和微小化的要求，以高功率施加偏置电压产生用的高频电功率的等离子体处理正在增加。由此，提高对基片上的例子的引入，实现高高宽比的蚀刻和微小化(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-43470号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，在上述的处理中，由于硅、石英、碳化硅的部件或热喷涂这些材料而得的部件的消耗速率增大，上述部件的寿命变短。另外，上述部件在消耗了规定以上时需要更换为新品。因此，制作上述消耗部件的耗费时间的增加成为技术问题。

对于上述技术问题，一方面的目的在于，修复消耗部件。

用于解决技术问题的方法

为了解决上述技术问题，依照一方式，提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，该部件的形成方法包括根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料一边对所述原料照射能量束的工序。

发明效果

根据本发明的一方面，能够修复消耗部件。

附图说明

图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的一例的图。

图2是表示一实施方式的3D打印机的构成的一例的图。

图3是表示一实施方式的三维扫描仪的构成的一例的图。

图4是表示一实施方式的三维数据生成处理的一例的流程图。

图5是表示一实施方式的部件的修复、形成处理的一例的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构，标注相同的附图标记而省大致重复的说明。

(等离子体处理装置)

首先，参照图1，对等离子体处理装置1的一例进行说明。本实施方式的等离子体处理装置1是电容耦合型(Capacitively Coupled Plasma：CCP)的平行平板等离子体处理装置。等离子体处理装置1具有等离子体生成装置，其生成用于在晶片W上进行蚀刻的等离子体。此外，等离子体处理装置1具有配置于处理容器10的内部的部件，是对基片进行处理的基片处理系统的一例，所述部件通过根据所述部件的表面状态一边供给所述部件的原料一边对所述原料照射能量束的工序来形成。

等离子体处理装置1具有大致圆筒形的处理容器10。在处理容器10的内面实施了耐酸氯处理(阳极氧化处理)。在处理容器10的内部，对晶片W用等离子体进行蚀刻、成膜等等离子体处理。

载置台20具有基座22和静电吸盘21。在静电吸盘21的上表面，载置晶片W。基座22例如由Al、Ti、SiC等形成。

在基座22之上，设置有静电吸盘21。静电吸盘21成为在绝缘体21b之间夹着电极膜21a的结构。电极膜21a经由开关23与直流电源25连接。当开关23导通时，从直流电源25对电极膜21a施加直流电压时，因库仑力而晶片W被静电吸附到静电吸盘21。