[发明专利]工件分离装置及工件分离方法有效
申请号: | 201980005186.0 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN111247622B | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 大谷义和;富冈恭平 | 申请(专利权)人: | 信越工程株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B23K26/064;B23K26/57;H01L21/301;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工件 分离 装置 方法 | ||
1.一种工件分离装置,其特征在于,具备:
保持部件,在隔着因吸收激光而变质成能够剥离的分离层层叠包括电路基板的工件和透过所述激光的支承体的层叠体中,将所述工件保持成装卸自如;
激光照射部,透过保持于所述保持部件的所述层叠体的所述支承体而朝向所述分离层间歇性地依次照射作为所述激光而脉冲振荡的点状的高斯光束;及
控制部,对所述激光照射部进行动作控制,
所述控制部以使相对于所述分离层的来自所述激光照射部的激光照射位置移动的方式从所述激光照射部照射脉冲振荡的所述高斯光束,将在所述激光照射位置处向与来自所述激光照射部的光照射方向交叉的两个方向相邻的所述高斯光束的中心彼此的间隔分别控制为在将所述高斯光束的光束分布中的光束直径与照射强度的关系视为正态分布时小于标准偏差的3倍。
2.根据权利要求1所述的工件分离装置,其特征在于,其中,
通过所述控制部控制为如下,即,从所述激光照射部将所述高斯光束相对于保持于所述保持部件的所述层叠体的所述分离层以隔开规定间隔的方式,间歇性地照射多次,在所述激光照射位置处使所述高斯光束彼此向所述两个方向彼此局部重叠地连续。
3.一种工件分离方法,其特征在于,包括:
保持工序,在隔着因吸收激光而变质成能够剥离的分离层层叠包括电路基板的工件和透过所述激光的支承体的层叠体中,将所述工件装卸自如地保持于保持部件;及
激光照射工序,从激光照射部透过保持于所述保持部件的所述层叠体的所述支承体而朝向所述分离层间歇性地依次照射作为所述激光而脉冲振荡的点状的高斯光束,
在所述激光照射工序中,以使相对于所述分离层的来自所述激光照射部的激光照射位置移动的方式从所述激光照射部照射脉冲振荡的所述高斯光束,将在所述激光照射位置处向与来自所述激光照射部的光照射方向交叉的两个方向相邻的所述高斯光束的中心彼此的间隔分别设定为在将所述高斯光束的光束分布中的光束直径与照射强度的关系视为正态分布时小于标准偏差的3倍。
4.根据权利要求3所述的工件分离方法,其特征在于,
作为所述激光照射工序的后工序包括:分离工序,从激光照射工序之后的所述层叠体分离所述支承体;及清洗工序,利用清洗液去除残留于从所述层叠体分离出的所述工件上的所述分离层的残渣。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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