[发明专利]工件分离装置及工件分离方法有效
申请号: | 201980005186.0 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN111247622B | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 大谷义和;富冈恭平 | 申请(专利权)人: | 信越工程株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B23K26/064;B23K26/57;H01L21/301;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工件 分离 装置 方法 | ||
本发明提供一种工件分离装置及工件分离方法。所述工件分离装置对层叠体的分离层均匀地照射脉冲激光。所述工件分离装置的特征在于,具备:保持部件,在隔着因吸收激光而变质成能够剥离的分离层层叠包括电路基板的工件和透过激光的支承体的层叠体中,将工件保持成装卸自如;激光照射部,透过保持于保持部件的层叠体的支承体而朝向分离层照射作为激光而脉冲振荡的高斯光束;及控制部,对激光照射部进行动作控制,控制部在从激光照射部脉冲振荡的激光中,将相邻的高斯光束的中心彼此的间隔控制为在将高斯光束的光束分布中的光束直径与照射强度的关系视为正态分布时小于标准偏差的3倍。
技术领域
本发明涉及一种在如WLP(wafer level packaging(晶圆级封装))和PLP(panellevel packaging(面板级封装))、或厚度非常薄的(极薄)半导体晶圆的处理工序等、成为产品的工件的制造过程中,用于从支承体剥离被临时固定保持于支承体的工件的工件分离装置及使用工件分离装置的工件分离方法。
背景技术
以往,作为这种工件分离装置及工件分离方法存在从隔着通过吸收光而变质的分离层层叠基板和透过光的支承体而成的层叠体分离支承体的支承体分离方法及用于执行支承体分离方法的支承体分离装置(例如,参考专利文献1)。
支承体分离方法包括:光照射工序,一边吸引保持层叠体一边隔着支承体对分离层照射光;分离工序,从光照射工序之后的层叠体分离支承体;及搬送工序,从支承体分离装置搬出支承体被分离之后的基板。
支承体分离装置具备用于保持层叠体的保持台和作为光照射部的激光照射部,保持台具有:保持面,其具备用于吸附层叠体的吸附部;及挤压部,朝向保持台挤压层叠体。作为激光照射部照射到分离层的光,利用与分离层能够吸收的波长对应的激光,根据分离层的种类、厚度及基板的种类等条件来调整其激光输出、脉冲频率。
另外,对通过支承体分离方法从层叠体分离的基板进行处理的基板处理方法包括:清洗工序,一边吸引保持从层叠体分离的基板一边用清洗液去除残留于基板的粘接剂所包含的分离层的残渣;及切割工序,一边吸引保持清洗工序之后的被离析的基板一边进行切割。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-006487号公报
发明内容
对于层叠体的分离层,不易使激光的照射强度均匀化,对于分离层均匀地照射激光而使其分离(剥离)是非常困难的。
然而,在专利文献1所记载的技术中,并未记载关于激光对层叠体的照射的详细的控制方法。
因此,若从激光照射部朝向分离层照射的脉冲激光的能量以比使分离层分离时所需的量过剩的状态进行扫描,则对分离层的一部分进行过度照射,有可能因该照射热而局部温度上升并发热。
由此,存在分离层中激光能量过强的部位烧焦而产生煤,并且对形成于搭载于基板上的晶片的电路基板的器件造成损伤等问题。
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造