[发明专利]基板处理装置在审

专利信息
申请号: 201980005515.1 申请日: 2019-09-12
公开(公告)号: CN112868090A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 木下繁;松本州作;川野浩一郎;藤田博;北村嘉教 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 张轶楠;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种基板处理装置,具备:

处理槽,其能够积存液体;

搬送部,其以多个半导体基板的表面朝向大致水平方向的方式排列该多个半导体基板,能够向所述处理槽内搬送所述多个半导体基板;

多个液体供给部,其能够从所述处理槽的下方朝向所述处理槽的内侧方向供给所述液体;以及

多个整流板,其配置在所述多个半导体基板的排列的一端侧和另一端侧中的至少一方,从所述多个半导体基板的排列方向观察时,设置在所述搬送部的两侧的、所述搬送部与所述处理槽的侧壁之间的间隙中的位于所述半导体基板上方的第1间隙区域。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置,

所述多个整流板的上端位于与所述处理槽的上端相同或者比其高的位置。

3.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置,

从所述多个半导体基板的排列方向观察时,所述多个整流板设置为遮挡所述第1间隙区域。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置,

所述多个整流板配置在所述多个半导体基板的排列的一端侧,

在所述多个半导体基板的排列的一端侧与所述多个整流板相邻的半导体基板和所述多个整流板之间的沿着所述多个半导体基板的排列方向的距离,为所述多个半导体基板之间的间隔的1倍~2倍间的值。

5.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置,

所述多个整流板包括:

第1整流板以及第2整流板,其配置在所述多个半导体基板的排列的一端侧,并且,从所述多个半导体基板的排列方向观察时,分别配置在所述搬送部的两侧;以及

第3整流板以及第4整流板,其配置在所述多个半导体基板的排列的另一端侧,并且,从所述多个半导体基板的排列方向观察时,分别配置在所述搬送部的两侧。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置,

在所述多个半导体基板的排列的一端侧与所述第1整流板以及所述第2整流板相邻的半导体基板和所述第1整流板以及所述第2整流板之间的沿着所述多个半导体基板的排列方向的距离,为所述多个半导体基板之间的间隔的1倍~2倍间的值。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置,

在所述多个半导体基板的排列的另一端侧与所述第3整流板以及所述第4整流板相邻的半导体基板和所述第3整流板以及所述第4整流板之间的沿着所述多个半导体基板的排列方向的距离,为所述多个半导体基板之间的间隔的1倍~2倍间的值。

8.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置,

所述多个整流板具有大致相同的形状,设置在大致相同的高度。

9.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置,

所述搬送部通过使所述多个半导体基板在上下方向上移动来将其搬入到所述处理槽内或者从所述处理槽内搬出,

所述多个整流板设置在与所述搬送部以及所述半导体基板不接触的位置。

10.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置,

所述第1间隙区域位于比所述多个半导体基板的大致中心靠上方的位置,

所述多个整流板的下端位于所述多个半导体基板的中心附近的高度位置。

11.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置,

所述多个整流板的下端的一部分具有与所述多个半导体基板的外缘对应的大致圆弧形状。

12.根据权利要求1所述的基板处理装置,

所述搬送部包括:

支承部,其从下方支承所述多个半导体基板;和

搬送板,其与所述支承部相连,与所述多个半导体基板相对向,

所述搬送板具有开口部,从所述多个半导体基板的排列方向观察时,所述开口部包含从所述多个液体供给部供给的所述液体的供给方向的交叉位置。

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