[发明专利]基板处理装置在审
申请号: | 201980005515.1 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN112868090A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 木下繁;松本州作;川野浩一郎;藤田博;北村嘉教 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张轶楠;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
提供能够抑制液体流速的不匀的基板处理装置。本实施方式涉及的基板处理装置具备能够积存液体的处理槽。搬送部以多个半导体基板的表面朝向大致水平方向的方式排列该多个半导体基板,能够向处理槽内搬送多个半导体基板。多个液体供给部能够从处理槽的下方朝向处理槽的内侧方向供给液体。多个整流板配置在多个半导体基板的排列的一端侧和另一端侧中的至少一方。从多个半导体基板的排列方向观察时,多个整流板设置在搬送部的两侧的、搬送部与处理槽的侧壁之间的间隙中的位于半导体基板上方的第1间隙区域。
技术领域
本实施方式涉及基板处理装置。
背景技术
批量(batch)式的基板处理装置将半导体基板容纳于处理槽内,用药液对该半导体基板进行处理。这样的基板处理装置为了将处理槽内的药液的浓度等保持为均匀,而使该药液进行循环。为了使药液进行循环,基板处理装置从处理槽内的喷嘴供给药液,回收从处理槽的上端部溢出的药液,进行了除去杂质等的处理之后,从喷嘴再次向处理槽进行供给。
在这样使药液进行循环时,药液的流速会根据处理槽内的位置而发生不匀。药液流速的不匀成为半导体基板的表面中的蚀刻速度等的处理速度不匀的原因。另外,在药液的流速慢的区域中,也有可能如二氧化硅(silica)那样的副生成物会析出到半导体基板的表面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-195338号公报
专利文献2:日本特开2006-32673号公报
专利文献3:日本特开平7-58078号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
提供能够抑制液体的流速不匀的基板处理装置。
用于解决问题的技术方案
本实施方式涉及的基板处理装置具备能够积存液体的处理槽。搬送部以多个半导体基板的表面朝向大致水平方向的方式排列该多个半导体基板,能够向处理槽内搬送多个半导体基板。多个液体供给部能够从处理槽的下方向处理槽的内侧方向供给液体。多个整流板配置在多个半导体基板的排列的一端侧和另一端侧中的至少一方。从多个半导体基板的排列方向观察时,多个整流板设置在搬送部的两侧的搬送部与处理槽的侧壁之间的间隙中的位于半导体基板上方的第1间隙区域。
附图说明
图1是表示第1实施方式涉及的基板处理装置的构成例的立体图。
图2是表示第1实施方式涉及的基板处理装置的构成例的立体图。
图3是处理槽内部的升降机的侧视图。
图4是图3的虚线圆4的放大图。
图5是处理槽以及升降机的正视图。
图6是表示没有整流板的基板处理装置的构成的剖视图。
图7是表示药液流速的模拟结果的图解图。
图8是第2实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。
图9是第3实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。
图10是第4实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。
图11的(A)是表示使用了没有设置开口部的升降机的情况下的药液的流速分布的图,图11的(B)是表示使用了设置有开口部的升降机的情况下的药液的流速分布的图。
图12是第5实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。
图13是第6实施方式涉及的处理槽以及升降机的正视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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