[发明专利]半导体激光器和电子设备

权利要求书

1.一种半导体激光器，包括：

半导体叠层，所述半导体叠层依次包括第一包覆层、活性层、一个或多个低浓度杂质层、接触层和包括透明导电材料的第二包覆层，所述半导体叠层在包括所述接触层的部分中具有在堆叠面内的方向上延伸的脊形，

所述一个或多个低浓度杂质层具有5.0×10¹⁷cm^-3以下的杂质浓度，所述低浓度杂质层的总厚度为250nm以上且1000nm以下，

所述第二包覆层与最靠近所述第二包覆层的低浓度杂质层之间的距离为150nm以下。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述第一包覆层、所述活性层、所述低浓度杂质层和所述接触层均包括氮化物半导体。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其中所述透明导电材料为ITO(氧化铟锡)或ITiO(氧化铟钛)。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中包括在所述低浓度杂质层中的所述杂质是镁、铜、硅或氧中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，进一步包括设置在所述活性层和所述接触层之间的载流子阻挡层，

其中在所述低浓度杂质层中，所述脊形的正下方的部分具有比所述脊形的侧部更大的厚度。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其中所述载流子阻挡层具有梯度层，在所述梯度层中，组成被梯度化以允许所述载流子阻挡层的带隙能量朝向所述接触层减小。

7.一种半导体激光器，包含：

半导体叠层，所述半导体叠层依次包括：第一包覆层、活性层、具有5.0×10¹⁷cm^-3以下的杂质浓度的一个或多个低浓度杂质层、接触层以及包括透明导电材料的第二包覆层，所述半导体叠层在包括所述接触层的部分中具有脊形，所述脊形在堆叠面内的方向上延伸，

在所述半导体激光器被驱动的情况下，所述第二包覆层被设置在远离将在所述半导体叠层内产生的光波导区域的位置处，

更靠近所述活性层的所述第二包覆层的边界处的光强度与最大光强度的比率小于0.007。

8.一种电子设备，包含：

用作光源的半导体激光器；

所述半导体激光器包括半导体叠层，所述半导体叠层依次包括第一包覆层、活性层、一个或多个低浓度杂质层、接触层和包括透明导电材料的第二包覆层，所述半导体叠层在包括接触层的部分中具有在堆叠面内的方向上延伸的脊形，

所述一个或多个低浓度杂质层具有5.0×10¹⁷cm^-3以下的杂质浓度，所述低浓度杂质层的总厚度为250nm以上且1000nm以下，

所述第一包覆层与最靠近所述第一包覆层的所述低浓度杂质层之间的距离为150nm以下。

9.一种电子设备，包含：

用作光源的半导体激光器；

所述半导体激光器包括半导体叠层，所述半导体叠层依次包括：第一包覆层、活性层、具有5.0×10¹⁷cm^-3以下的杂质浓度的一个或多个低浓度杂质层、接触层以及包括透明导电材料的第二包覆层，所述半导体叠层在包括接触层的部分中具有在堆叠面内的方向上延伸的脊形，

在所述半导体激光器被驱动的情况下，所述第二包覆层被设置在远离将在所述半导体叠层内产生的光波导区域的位置处，

更靠近所述活性层的第二包覆层的边界处的光强度与最大光强度的比率小于0.007。