[发明专利]半导体激光器和电子设备

说明书

根据本公开的一个实施例的半导体激光器设置有半导体多层部。半导体多层部依次包含第一包覆层、活性层、一个或多个低浓度杂质层、接触层和由透明导电材料形成的第二包覆层。该半导体多层部在包含该接触层的部分中另外具有在该层叠面内的一个方向上延伸的脊形。每个低浓度杂质层具有5.0×10¹⁷cm^‑3或更小的杂质浓度；并且低浓度杂质层的总膜厚度为250nm至1,000μm(包括端值)。第二包覆层与最靠近第二包覆层的低浓度杂质层之间的距离为150nm以下。

技术领域

本公开涉及一种半导体激光器和包括该半导体激光器的电子设备。

背景技术

已经公开了半导体激光器的各种技术。

引文清单

专利文献

专利文献1：日本特开2009-94360号公报

专利文献2：日本特开2013-42107号公报

专利文献3：日本特开2004-289157号公报

专利文献4：日本特开2007-129246号公报

专利文献5：日本特开2016-66670号公报

专利文献6：日本特开2001-77463号公报

专利文献7：日本特开2009-117695号公报

专利文献8：日本特开2006-41491号公报

发明内容

已经要求半导体激光器的高功率输出来增加亮度。这种高功率输出引起发热问题。基于功率转换效率确定发热量。因此，为了减少这种发热量，不仅光输出特性而且驱动电压的降低都是重要的。因此，期望提供一种能够降低驱动电压的半导体激光器和包括该半导体激光器的电子设备。

根据本公开的一个实施例的第一半导体激光器包括半导体叠层。该半导体叠层依次包括第一包覆层、活性层、一个或多个低浓度杂质层、接触层和包括透明导电材料的第二包覆层。该半导体叠层在包括该接触层的部分中还具有在堆叠面内的一方向上延伸的脊形。每个低浓度杂质层的杂质浓度为5.0×10¹⁷cm^-3以下，低浓度杂质层的总厚度为250nm以上且1000nm以下。第二包覆层和最接近第二包覆层的低浓度杂质层之间的距离为150nm或更小。

根据本公开的一个实施例的第二半导体激光器包括半导体叠层。该半导体叠层依次包括第一包覆层、活性层、具有5.0×10¹⁷cm^-3或更小的杂质浓度的一个或多个低浓度杂质层、接触层，以及包括透明导电材料的第二包覆层。该半导体叠层在包括该接触层的部分中还具有在堆叠面内的一方向上延伸的脊形。在驱动该半导体激光器的情况下，该第二包覆层被设置在远离将在该半导体叠层内产生的光波导区域的位置处。

根据本公开的一个实施例的第一电子设备包括作为光源的第一半导体激光器。

根据本公开的一个实施例的第二电子设备包括作为光源的第二半导体激光器。

在根据本公开的一个实施例的第一半导体激光器和第一电子设备中，第二包覆层包括透明导电材料。此外，设置在活性层和接触层之间的一个或多个低浓度杂质层具有5.0×10¹⁷cm^-3以下的杂质浓度，并且低浓度杂质层的总厚度为250nm以上且1000nm以下。此外，第二包包覆层与最靠近第二包包覆层的低浓度杂质层之间的距离为150nm以下。这允许减少由透明导电材料引起的光吸收，并且进一步地，即使在例如没有包括掺杂有Mg的AlGaN的厚包覆层的情况下，也通过包括透明导电材料的第二包覆层在堆叠方向上限制光。根据本公开的一个实施例的第一半导体激光器和第一电子设备还包括条形脊。因此，光也在横向方向上受到限制。