[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置有效
| 申请号： | 201980005922.2 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN111386603B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 丸山力宏;宫越仁隆 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/48;H01L23/498;H01L25/07;H01L25/18;H01R4/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
准备工序，准备具备圆筒状的贯通孔的接触部件、以及呈柱状且相对于长度方向的截面为多边形且所述截面的对角长度比所述贯通孔的内径长的连接端子；
倒角工序，在所述连接端子的所述多边形的角部分别形成具有与所述贯通孔的内表面对应的曲率的倒角部；以及
压入工序，向所述接触部件的所述贯通孔压入所述连接端子。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述倒角部的曲率为所述贯通孔的内表面的曲率的0.50倍以上且2.0倍以下。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述倒角工序中，分别按压所述连接端子的角部而分别形成所述倒角部。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述连接端子为棱柱状。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述倒角工序后的所述连接端子的所述对角长度为所述贯通孔的所述内径的1.02倍以上且1.10倍以下。
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述倒角工序中，以所述连接端子的所述倒角部的周围方向上的倒角宽度的总计相对于所述贯通孔的内周为0.20以上且0.28以下的方式形成所述倒角部。
7.一种半导体装置，其特征在于，具有：
接触部件，具备圆筒状的贯通孔；以及
连接端子，呈柱状且相对于长度方向的截面为多边形且在所述截面的所述多边形的角部具备具有与所述贯通孔的内表面对应的曲率的倒角部，所述倒角部以与所述贯通孔的内表面接触的方式被压入到所述贯通孔。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述连接端子为棱柱状。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述倒角部的曲率为所述贯通孔的内表面的曲率的0.50倍以上且2.0倍以下。
10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，所述连接端子的所述倒角部的周围方向上的倒角宽度的总计相对于所述贯通孔的内周为0.20以上且0.28以下。
11.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，通过电镀处理在所述接触部件的表面形成有镍或镍合金。
12.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，通过电镀处理在所述连接端子的表面形成有镍或镍合金。
13.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，在所述连接端子的至少被压入到所述接触部件的端部形成有锥状的前端部。
14.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述连接端子的所述倒角部以与所述贯通孔的内表面接触的接触部为起点而沿着所述贯通孔的内表面进行接触。
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